[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201410336443.8 申请日: 2014-07-15
公开(公告)号: CN104679680B 公开(公告)日: 2019-04-05
发明(设计)人: 李贤圣 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 周晓雨;俞波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【说明书】:

一种半导体装置,包括:逻辑存储器芯片,其包括将输入信号和选通信号输出的发送块;以及与逻辑存储器芯片层叠的多个存储器芯片。所述多个存储器芯片中的至少一个包括多个接收块。所述多个接收块中的每个接收所述输入信号之中的输入信号和所述选通信号,且控制输入信号和选通信号中的任意一个的相位。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年12月2日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2013-0148513的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

各种实施例涉及一种半导体装置,且更具体而言,涉及一种控制所发送信号的相位的半导体装置。

背景技术

为了提高半导体装置的集成度,已经开发了3D(三维)半导体装置,其中层叠并封装多个存储器芯片。在3D半导体装置中,由于垂直地层叠两个或更多个存储器芯片,因此可以在相同面积内获得最大的集成度。

可以采用各种方法来实现3D半导体装置。在方法之一中,将具有相同结构的多个存储器芯片层叠,然后利用诸如金属线的导线来将其相互电耦合以作为一个半导体装置来操作。

近来,本领域中已经公开了TSV(穿通硅通孔)型的半导体装置,其中,穿通硅通孔被形成为穿过多个层叠的存储器芯片,使得所有的存储器芯片相互电耦合。在TSV型的半导体装置中,由于穿通硅通孔垂直地穿过相应的存储器芯片以将其相互电耦合,因此与相应存储器芯片通过使用导线的外围布线来相互电耦合的半导体装置相比,可以有效减少封装体的面积。

各个存储器芯片可以接收数据信号、命令信号和各种控制信号。由于各种因素,要传输的信号可能需要在相位上被控制。例如,由于从发送单元至接收单元的要经过长距离传输的信号可能比通过短距离来传输的信号延迟得更多而被接收,因此可能要控制具有长传输距离的信号的相位。作为另一个例子,由于信号可能因为工艺、电压或温度上的变化而被延迟地接收,因此可能要控制信号的相位。

发明内容

在本发明的一个实施例中,一种半导体装置包括:逻辑存储器芯片,其包括将输入信号和选通信号输出的发送块;以及与逻辑存储器芯片层叠的多个存储器芯片,其中所述多个存储器芯片中的至少一个包括多个接收块,以及其中所述多个接收块中的每个接收所述输入信号之中的输入信号和所述选通信号,且控制输入信号和选通信号中的任意一个的相位。

在本发明的一个实施例中,一种半导体装置包括:第一存储器芯片,其包括将输入信号和选通信号输出的发送块;以及第二存储器芯片,其包括接收输入信号和选通信号的接收块,其中在相位控制模式的情况下,发送块输出输入信号和选通信号,使得它们被同时使能预定的次数,以及其中在相位控制模式的情况下,接收块设置用于输入信号和选通信号中的任意一个的延迟量。

在本发明的一个实施例中,一种系统包括:处理器;控制器,被配置成从处理器接收一个或更多个请求以及一个或更多个数据;以及存储器单元,被配置成从控制器接收所述一个或更多个请求以及所述一个或更多个数据,其中存储器单元包括:逻辑存储器芯片,其包括将输入信号和选通信号输出的发送块;以及与逻辑存储器芯片层叠的多个存储器芯片,其中所述多个存储器芯片中的至少一个包括多个接收块,以及其中所述多个接收块中的每个接收输入信号,且控制输入信号和选通信号中的任意一个的相位。

根据本发明的实施例,半导体装置可以有效地控制信号的相位。

附图说明

结合附图描述特征、方面和实施例,在附图中:

图1示例性示出根据本发明实施例的半导体装置的图;

图2是解释在图1所示的半导体装置中信号在传输期间被延迟且造成相位差的情况的图;

图3是示出图1所示的第一接收块的详细配置的框图;

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1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

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