[发明专利]POP封装方法在审
| 申请号: | 201410336397.1 | 申请日: | 2014-07-15 |
| 公开(公告)号: | CN104103595A | 公开(公告)日: | 2014-10-15 |
| 发明(设计)人: | 张卫红;张童龙 | 申请(专利权)人: | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98;H01L25/065;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 孟阿妮 |
| 地址: | 226006 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | pop 封装 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体封装方法,尤其涉及一种POP封装方法。
背景技术
作为目前封装高密集成的主要方式,PoP(package on package,叠层封装)得到越来越多的重视。在POP结构中,记忆芯片通常以键合方式连接于基板,而应用处理器芯片以倒装方式连接于基板,记忆芯片封装体是直接叠在应用处理器封装体上,相互往往以锡球焊接连接。这样上下结构以减少两个芯片的互连距离来达到节省空间和获得较好的信号完整性。由于记忆芯片与逻辑芯片的连接趋于更高密度,整体厚度越来越薄,传统封装的POP结构已经很有局限。封装体翘曲是其中一直要考虑解决的问题,目前上下塑封料层的适当选材和设计是解决此问题的主要方法之一,但是此中上下塑封料层的电连接是个棘手问题。
发明内容
在下文中给出关于本发明的简要概述,以便提供关于本发明的某些方面的基本理解。应当理解,这个概述并不是关于本发明的穷举性概述。它并不是意图确定本发明的关键或重要部分,也不是意图限定本发明的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念,以此作为稍后论述的更详细描述的前序。
本发明提供一种POP封装方法,包括制作上封装体、制作下封装体,将所述上封装体和所述下封装体对接,其特征在于,制作所述下封装体包括步骤:
S101:提供一基板,在所述基板的上表面形成第一焊球,且倒装并回流焊接芯片,所述芯片和基板通过底部填充技术进行加固;
S102:提供一金属板条,对所述金属板条进行光刻和/或腐蚀,在所述金属板条的一侧形成金属凸点;
S103:将所述金属板条具有所述金属凸点的一侧向下对着基板,并与所述基板上所述第一焊球进行回流焊接形成一体;
S104:在所述基板上形成塑封料层,所述塑封料层包覆所述芯片、第一焊球及金属凸点;
S105:去除所述金属板条顶部材料,直至所述金属凸点露出所述塑封料层。
本发明提供的POP封装方法,不需要经过钻孔、打磨塑封料等机械方法以达到电连接的目的,通过使用成本较低的金属板条经过腐蚀和打磨等工艺形成金属凸点,而达到承上启下电连接的目的,在减少塑封料层翘曲的同时,提高了电连接的效率并且降低了成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明中POP封装步骤流程图;
图2为本发明POP封装方法中芯片和基板结构示意图;
图3为本发明实施例一中金属板条结构示意图;
图4为本发明实施例一中金属板条与第一焊球连接结构示意图;
图5为本发明实施例一中对芯片和第一焊球进行塑封结构示意图;
图6为本发明实施例一中对金属板条进行打磨后结构示意图;
图7为本发明实施例一中POP封装结构最终示意图;
图8为本发明实施例二中金属板条结构示意图;
图9为本发明实施例二中金属板条与第一焊球连接结构示意图;
图10为本发明实施例二中对芯片和第一焊球进行塑封结构示意图;
图11为本发明实施例二中对金属板条进行打磨后结构示意图;
图12为本发明实施例二中覆盖保护层结构示意图;
图13为本发明实施例二中POP封装结构最终示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。在本发明的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意,为了清楚的目的,附图和说明中省略了与本发明无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明提供了一种POP封装方法,包括制作上封装体、制作下封装体,将所述上封装体和所述下封装体对接,如图1所示为制作所述下封装体的步骤,包括:S101:提供一基板,在所述基板的上表面形成第一焊球,且倒装并回流焊接芯片,所述芯片和基板通过底部填充技术进行加固;
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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