[发明专利]POP封装方法在审
| 申请号： | 201410336397.1 | 申请日： | 2014-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN104103595A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 张卫红;张童龙 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/98 | 分类号： | H01L21/98;H01L25/065;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | pop 封装 方法 | ||
1.一种POP封装方法，包括制作上封装体、制作下封装体，将所述上封装体和所述下封装体对接，其特征在于，制作所述下封装体包括步骤：
S101：提供一基板，在所述基板的上表面形成第一焊球，且倒装并回流焊接芯片，所述芯片和基板通过底部填充技术进行加固；
S102：提供一金属板条，对所述金属板条进行光刻和/或腐蚀，在所述金属板条的一侧形成金属凸点；
S103：将所述金属板条具有所述金属凸点的一侧向下对着基板，并与所述基板上的所述第一焊球进行回流焊接形成一体；
S104：在所述基板上形成塑封料层，所述塑封料层包覆所述芯片、第一焊球及金属凸点；
S105：去除所述金属板条顶部材料，直至所述金属凸点露出所述塑封料层。
2.根据权利要求1所述的POP封装方法，其特征在于，所述芯片和基板之间的空隙通过毛细底部填充技术或者模塑底部填充技术填充并固化。
3.根据权利要求1所述的POP封装方法，其特征在于，所述金属板条材料为铜合金。
4.根据权利要求1所述的POP封装方法，其特征在于，步骤S102中所述金属板条形成金属凸点的一侧还形成绕线。
5.根据权利要求1-4任一项所述的POP封装方法，其特征在于，所述塑封料层包覆所述芯片、第一焊球、金属凸点和绕线。
6.根据权利要求4所述的POP封装方法，其特征在于，所述步骤S105后还包括在绕线上表面覆盖保护层，所述保护层在金属凸点处开口并暴露所述金属凸点。
7.根据权利要求1-4任一项所述的POP封装方法，其特征在于，还包括步骤：在所述基板的下表面形成第二焊球。
8.根据权利要求1-4任一项所述的POP封装方法，其特征在于，所述上封装体背面设置有第三焊球，还包括将所述上封装体背面的第三焊球与下封装体的金属凸点对齐进行回流焊接形成一体。
9.根据权利要求1-4任一项所述的POP封装方法，其特征在于，所述上封装体的封装形式为球栅阵列封装。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
