[发明专利]OPC修正方法

说明书

本发明提供了一种OPC修正方法，先在金属线及通孔布图上将连接相同两根金属线且间距小于等于通孔最小设计规则的1.5倍的通孔合并，再进行常规的OPC修正。由于合并的是连接相同两根金属线的通孔，即同电位通孔，并不会造成电路的短路，而且合并通孔的做法能在增大工艺窗口的同时，可以降低电路中的电阻，提高电路的响应频率。用合并通孔的方法增大通孔，解决了在后续的常规OPC修正中易导致光刻工艺窗口过小的问题。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种OPC修正方法。

背景技术

在半导体的后端制程中，为了形成金属互连线，需要在相邻两层金属线之间形成通孔以实现金属互连。随着电路密度增加和关键尺寸越来越小，导线和导线间隔及通孔的尺寸越来越小和越来越密，甚至达到次微米以下，导致通孔的光刻工艺窗口过小，影响产品的良率。

与此同时，在掩模上的集成电路图案通过曝光转移到晶片上的光刻胶层时，由于光学近接效应，常常发生变形，图案稀疏区域和图案稠密区域同样尺寸的通孔在图案转移后会产生不同的变形，特别是孤立通孔容易产生盲孔。

为了解决上述问题，通常采用光学临近修正(optical proximity correction，OPC)方法对掩模板上的图案进行修正。OPC常规的通孔修正一般是先将所有的通孔进行整体放大，再用OPC模型对整体放大后的通孔进行修正。

随着集成电路技术节点越来越小，通孔的整体放大尺寸很难控制。若通孔的整体放大不足，孤立通孔的光刻工艺窗口会非常小。若通孔的整体放大过大，虽然孤立通孔的光刻工艺窗口会增大，但是不同电位通孔合并的风险也增大；受干法刻蚀、湿法刻蚀、化学机械研磨等工艺的影响，通孔与上层金属线的接触面积比通孔与下层金属线的接触面积大得多，导致相邻上层金属线之间易发生短路。

发明内容

为解决现有技术中的问题，本发明提供一种OPC修正方法，包括以下步骤：

提供一金属线和通孔布图，所述金属线和通孔布图包括多层金属线以及连接不同层金属线的通孔；

将连接相同两根金属线且间距小于等于通孔最小设计规则的1.5倍的通孔合并；以及

对所述金属线和通孔布图进行OPC修正。

进一步的，所述合并是将两个通孔之间的区域都设为通孔区域以形成合并后的通孔。

进一步的，所述通孔的形状为正方形。

进一步的，所述通孔最小设计规则为通孔的边长。

进一步的，在合并后且对所述金属线和通孔布图进行OPC修正前，还包括以下步骤：

检测合并后的通孔与其连接的上层金属线的相邻金属线的间距，

若此间距小于等于所述上层金属线的最小设计规则的1.5倍时，将所述合并后的通孔向远离所述上层金属线的相邻金属线的方向缩进。

进一步的，所述缩进的距离为通孔最小设计规则的2％-50％。

进一步的，所述上层金属线的最小设计规则与所述通孔最小设计规则相同。

本发明提供的OPC修正方法，先在金属线及通孔布图上将连接相同两根金属线且间距小于等于通孔最小设计规则的1.5倍的通孔合并，再进行常规的OPC修正。由于合并的是连接相同两根金属线的通孔，即同电位通孔，并不会造成电路的短路，而且合并通孔的做法能在增大工艺窗口的同时，可以降低电路中的电阻，提高电路的响应频率。用合并通孔的方法增大通孔，解决了在后续的常规OPC修正中易导致光刻工艺窗口过小的问题。

附图说明

图1为本发明一实施例所述OPC修正方法中初始的金属线和通孔布图。