[发明专利]OPC修正方法有效
| 申请号： | 201410331704.7 | 申请日： | 2014-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN104090467B | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 王丹;于世瑞;毛智彪;张瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | opc 修正 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种OPC修正方法，包括以下步骤：
提供一金属线和通孔布图，所述金属线和通孔布图包括多层金属线以及连接分别位于不同层中的两根金属线的通孔；
将连接相同两根金属线且间距小于等于通孔最小设计规则的1.5倍的通孔合并；以及
对所述金属线和通孔布图进行OPC修正。
2.如权利要求1所述的OPC修正方法，其特征在于：所述合并是将两个通孔之间的区域都设为通孔区域以形成合并后的通孔。
3.如权利要求1所述的OPC修正方法，其特征在于：所述通孔的形状为正方形。
4.如权利要求3所述的OPC修正方法，其特征在于：所述通孔最小设计规则为通孔的边长。
5.如权利要求1所述的OPC修正方法，其特征在于：在合并后且对所述金属线和通孔布图进行OPC修正前，还包括以下步骤：
检测合并后的通孔与其连接的上层金属线位于同层的相邻金属线的间距，若此间距小于等于所述上层金属线的最小设计规则的1.5倍时，将所述合并后的通孔向远离所述上层金属线的相邻金属线的方向缩进。
6.如权利要求5所述的OPC修正方法，其特征在于：所述缩进的距离为通孔最小设计规则的2％-50％。
7.如权利要求5所述的OPC修正方法，其特征在于：所述上层金属线的最小设计规则与所述通孔最小设计规则相同。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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