[发明专利]功率器件快速退火方法和功率器件在审
| 申请号： | 201410328461.1 | 申请日： | 2014-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN105336568A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 李理;马万里;赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 器件 快速 退火 方法 | ||
1.一种功率器件快速退火方法，其特征在于，包括：
在所述功率器件的第一面淀积金属层之后，在所述金属层上淀积保护层；
在所述第二面进行离子注入，并对所述第二面进行热退火处理，激活注入的离子；
在所述第二面淀积金属层，清除所述第一面上的保护层。
2.根据权利要求1所述的功率器件快速退火方法，其特征在于，所述保护层为氧化硅或氮化硅或多晶硅。
3.根据权利要求2所述的功率器件快速退火方法，其特征在于，所述保护层的厚度为1μm至10μm。
4.根据权利要求1所述的功率器件快速退火方法，其特征在于，所述热退火处理的热源采用灯光辐射，且单面或双面加热所述功率器件。
5.根据权利要求1所述的功率器件快速退火方法，其特征在于，所述在所述第二面进行离子注入之前且在淀积所述保护层之后，
刻蚀所述功率器件的第二面，以减小所述功率器件的厚度。
6.根据权利要求5所述的功率器件快速退火方法，其特征在于，在所述刻蚀所述功率器件的第二面之前且在淀积所述保护层之后，还包括：清洗所述功率器件。
7.根据权利要求6所述的功率器件快速退火方法，其特征在于，所述清洗所述功率器件具体为：使用酸溶液或混合酸溶液对所述功率器件进行清洗。
8.一种功率器件，其特征在于，所述功率器件采用如权利要求1至7中任一项所述的功率器件快速退火方法进行快速退火。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
