[发明专利]测试系统以及半导体元件有效
申请号: | 201410327047.9 | 申请日: | 2014-07-10 |
公开(公告)号: | CN104280651B | 公开(公告)日: | 2018-08-17 |
发明(设计)人: | 许人寿;吴柏勋 | 申请(专利权)人: | 晶豪科技股份有限公司 |
主分类号: | G01R31/02 | 分类号: | G01R31/02;H01L21/66 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 史新宏 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 系统 以及 半导体 元件 | ||
1.一种测试系统,用以执行一晶圆级烧入测试,包括:
一探针卡;
m个第一信号接点,用以接收来自一测试机台的m个第一测试通道的m个测试信号,m为一正整数;
n个第二信号接点,用以提供n个测试结果至该测试机台的n个第二测试通道的,n为一正整数;和
一个接点阵列,包含(m+1)个行和n个列,每一行具有n个接点而每一列具有(m+1)个接点,其中,在一第一行中的n个接点的每一个电性连接至n个第二信号接点中对应的一个,而在一第i行中的n个接点的每一个电性连接至m个第一信号接点中对应的一个,其中i为正整数,且2≤i≤(m+1);以及
n个晶片,每一晶片包含:
m个输入垫,其中这些输入垫中的每一个,借助该接点阵列中的n个列中的其中一列的m个接点,接收来自该测试机台的m个测试信号中对应的一个;
一检测电路,用以接收来自该m个输入垫的输入信号以在一检查垫产生一输出信号;和
该检查垫,借助该接点阵列中的n个列中的其中一列的一个接点,提供n个测试结果的其中一个至该测试机台。
2.根据权利要求1所述的测试系统,其中该测试系统在封装前依序执行一联结性测试,一烧入步骤和一晶片探测测试步骤。
3.根据权利要求2所述的测试系统,其中该测试系统借助改变m个测试信号中其中一个的逻辑电平以获得n个测试结果。
4.根据权利要求3所述的测试系统,其中该测试机台借助该n个测试结果决定是否有一短路发生于该探针卡和这些晶片之间的传输路径。
5.根据权利要求3所述的测试系统,其中该测试机台借助该n个测试结果决定是否有一开路发生于该探针卡和这些晶片之间的传输路径。
6.根据权利要求1所述的测试系统,其中该第i行中的n个接点的每一个借助一电阻电性连接至m个第一信号接点中对应的一个。
7.根据权利要求1所述的测试系统,其中这些第二信号接点中的每一个借助一电阻电性连接一固定电压源。
8.根据权利要求1所述的测试系统,其中该检测电路包括:
一逻辑电路,用以接收来自该m个输入垫的这些输入信号;
一PMOS晶体管,具有一栅极以接收来自该逻辑电路的一第一输出信号;以及
一NMOS晶体管,具有一栅极以接收来自该逻辑电路的一第二输出信号;
其中该PMOS晶体管和该NMOS晶体管电性连接至该检查垫。
9.根据权利要求8所述的测试系统,其中该检查垫被用以测试和接合用途,该m个输入垫中的其中一个仅用以测试用途,而这些m个输入垫中的其它者被用以测试和接合用途。
10.根据权利要求9所述的测试系统,其中该晶片包括:
一上拉元件,用以接收一启动信号以提供一上拉信号;
一第一反相器,用以接收该上拉信号以提供一不致能信号,借此在该晶片封装后关闭该PMOS晶体管和该NMOS晶体管;以及
一第二反相器,用以接收该不致能信号以产生该上拉信号;
其中该第一反相器与第二反相器相比具有较弱的驱动能力。
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