[发明专利]一种通过硒元素掺杂提高铜镉锡硫薄膜晶粒尺寸的制备方法无效
| 申请号： | 201410326642.0 | 申请日： | 2014-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN104060235A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 孟磊;徐娜;陈哲 | 申请（专利权）人： | 吉林化工学院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/58;C23C14/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 132022*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 通过 元素 掺杂 提高 铜镉锡硫 薄膜 晶粒 尺寸 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种通过硒元素掺杂提高铜镉锡硫薄膜晶粒尺寸的制备方法，其特征在于采用铜镉锡硫单一靶材进行磁控溅射，对溅射后的薄膜进行掺入硒元素的硫化热处理，将获得大晶粒尺寸的铜镉锡硫薄膜。
2.一种通过硒元素掺杂提高铜镉锡硫薄膜晶粒尺寸的制备方法，其特征在于经过硒掺杂后的硫化热处理相对于单纯硫化热处理，能有效的提高铜镉锡硫薄膜的晶粒尺寸，其晶粒尺寸可达到2 mm，铜镉锡硫薄膜为硫镉黄锡矿（cernyite）结构。
3.按照权利要求1所述的硒元素掺杂提高铜镉锡硫薄膜晶粒尺寸的制备方法，其特征在于通过对单一靶材进行磁控溅射的铜镉锡硫薄膜进行硒元素掺杂的硫化热处理能有效解决单纯硫化铜镉锡硫溅射薄膜晶粒尺寸较小的问题，掺杂硒元素后的铜镉锡硫薄膜晶粒尺寸可达到2 mm。
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