[发明专利]具有p型氮化镓电流势垒层的垂直型晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种具有p型氮化镓电流势垒层的垂直型晶体管，包括：

基板上配置的n+型氮化镓层；

n+型氮化镓层的第一区域上配置的漂移层；

n+型氮化镓层的第二区域上配置的漏极；

p型氮化镓电流势垒层，配置于所述漂移层的上部而限定所述p型氮化镓电流势垒层之间的电流孔径，且所述电流孔径提供载流子朝垂直方向移动的路径；

沟道层，配置于所述p型氮化镓电流势垒层和漂移层之上，并具有上部的二维电子气层；

半导体层，配置于所述沟道层上而用于使所述二维电子气层形成；

金属接触层，贯通所述沟道层而与所述p型氮化镓电流势垒层接触；

所述金属接触层和沟道层上的源极层；

栅绝缘层和栅极层，依次层叠于作为所述沟道层的相反侧的所述半导体层的上表面上。

2.如权利要求1所述的具有p型氮化镓电流势垒层的垂直型晶体管，其中，所述漂移层由n型氮化镓层构成。

3.如权利要求1所述的具有p型氮化镓电流势垒层的垂直型晶体管，其中，所述沟道层和半导体层分别由氮化镓层和氮化铝镓层构成。

4.如权利要求1所述的具有p型氮化镓电流势垒层的垂直型晶体管，其中，所述金属接触层具有圆柱形态。

5.如权利要求1所述的具有p型氮化镓电流势垒层的垂直型晶体管，其中，所述金属接触层具有四棱柱形态。

6.如权利要求1所述的具有p型氮化镓电流势垒层的垂直型晶体管，其中，将所述金属接触层配置为使多个金属接触层以不超过5μm的间距分离。

7.一种具有p型氮化镓电流势垒层的垂直型晶体管，包括：

漏极上的漂移层；

p型氮化镓电流势垒层，配置于所述漂移层的上部；

施主层，配置于所述p型氮化镓电流势垒层上；

金属接触层，贯通所述施主层而与所述p型氮化镓电流势垒层接触；

所述金属接触层和施主层上的源极层；

沟槽，形成为贯通所述施主层和p型氮化镓电流势垒层而到达所述漂移层的上部；

栅极层，在所述沟槽内壁上通过夹设栅绝缘层而进行配置。

8.如权利要求7所述的具有p型氮化镓电流势垒层的垂直型晶体管，其中，还包括配置于所述漏极与漂移层之间的基板和缓冲层。

9.如权利要求7所述的具有p型氮化镓电流势垒层的垂直型晶体管，其中，所述漂移层和施主层分别由n型氮化镓层和n+型氮化镓层构成。

10.如权利要求7所述的具有p型氮化镓电流势垒层的垂直型晶体管，其中，所述金属接触层具有圆柱形态。

11.如权利要求7所述的具有p型氮化镓电流势垒层的垂直型晶体管，其中，所述金属接触层具有四棱柱形态。

12.如权利要求7所述的具有p型氮化镓电流势垒层的垂直型晶体管，其中，将所述金属接触层配置为使多个金属接触层以不超过5μm的间距分离。

13.一种具有p型氮化镓电流势垒层的垂直型晶体管，包括：

漏极；

电流阻断层图案，配置于所述漏极的上部而限定用于提供电流流动路径的开口部；

低电阻层图案，在由所述电流阻断层图案所限定的开口部处配置于所述漏极上；

所述低电阻层图案和电流阻断层图案上的漂移层；

p型氮化镓电流势垒层，配置于所述漂移层的上部预定区域，且表面部执行沟道层的作用；

施主层，配置于被“U”字形的所述p型氮化镓电流势垒层所包围的空间内；

金属接触层，贯通所述施主层而与所述p型氮化镓电流势垒层接触；

所述金属接触层和施主层上的源极层；

栅极层，在所述施主层、p型氮化镓电流势垒层、以及漂移层的表面上通过夹设栅绝缘层而进行配置。

14.如权利要求13所述的具有p型氮化镓电流势垒层的垂直型晶体管，其中，所述低电阻层图案、漂移层、以及施主层分别由n+型氮化镓层、n型氮化镓层、以及n+型氮化镓层构成。

15.如权利要求13所述的具有p型氮化镓电流势垒层的垂直型晶体管，其中，所述金属接触层具有圆柱形态。