[发明专利]半导体发光元件和半导体发光装置

说明书

相关申请的交叉参考

本申请要求享有于2013年7月19日提交的日本在先专利申请JP2013-150641的权益，其全部内容以引用的方式并入本文。

技术领域

本公开涉及一种半导体发光元件和包括所述半导体发光元件的半导体发光装置。

背景技术

通常，半导体激光器不耐热，因此随着元件温度的上升，半导体激光器的特性有时会明显地劣化。由于随着半导体激光器的高功率的推进半导体激光器的发热量也增大，所以将从半导体激光器产生的热放出到外部变得很重要。

在将半导体层中产生的热放出到外部时，有效的是半导体层的发光点突出条纹部用由热导率高的诸如Au(金)等金属等制成的放热层覆盖。由于可以通过增大放热层的厚度来增大放热层的热容量以增大其放热效率，所以从制造效率的角度考虑，放热层通过镀敷法形成(例如，参照日本未审查专利申请公开No.2007-27181)。

尽管由例如Au制成的镀层的镀敷法可以使用电镀法和无电镀法，但是在两种情况下，都通过将样品浸入含有金属离子(Au离子)的溶液中使Au沉淀在样品的表面上。然而，在沉淀Au的过程中，产生作为反应副产物的氢，并且许多氢被带到通过沉淀形成的Au镀膜内部。

对于氮化物半导体层，诸如Ni(镍)和Pd(钯)等储氢金属经常用于p侧接触电极，因此有时发生使已被带入Au镀膜中的氢堵塞在p侧接触电极中并且使如此堵塞的氢再放出到半导体层中。

然而，氢堵塞在p侧接触电极中很可能导致电极的晶体结构的劣化以及电极的接触电阻的增大。此外，例如，已被再放出到半导体层内的氢可以与作为p型杂质的Mg结合而阻碍载流子的生成并很可能导致半导体层的电阻的增大。因此，上述情况的出现可能导致半导体发光元件的驱动电压的上升。

尽管用于排出已被带入金镀膜中的氢而进行的热处理等是已知的，但是很难完全除去氢。另外，在后续的制造过程中很可能发生二次氢吸附。此外，由加热导致的对半导体发光元件本身的热损坏令人担忧。

发明内容

希望提供一种可靠性优异并能够被低电压驱动的半导体发光元件以及包括所述半导体发光元件的半导体发光装置。

根据本公开的实施方案，提供了一种半导体发光元件，按顺序包括半导体层、电极层、含有储氢金属的金属层和镀层。

根据本公开的实施方案，提供了一种半导体发光装置，包括基体；和半导体发光元件，所述半导体发光元件经由接合层与所述基体接合，并通过从所述基体侧按顺序层叠镀层、含有储氢金属的金属层、电极层和半导体层构成。

在根据本公开各实施方案的半导体发光元件和半导体发光装置中，由于在镀层和电极层之间设置含有储氢金属的金属层，所以在形成镀层时产生的氢被堵塞在金属层中所含的储氢金属中。因此，抑制氢侵入电极层中。

根据本公开各实施方案的半导体发光元件和半导体发光装置，通过含有储氢金属的金属层可以有效地防止镀层所含的氢侵入电极层中。因此，可以避免电极的晶体结构的劣化和电极的接触电阻的增大，因而提高了可靠性。另外，可以降低驱动半导体发光元件的电压。

应当理解不论上述概括说明还是以下详细说明都是示例性的，并且其目的是用来提供对所请求保护的技术的进一步解释。

附图说明

所包含的附图是为了提供对本公开的进一步理解，其包含在本说明书中并构成本说明书的一部分。附图与说明书一起示出实施方案并用来解释本技术的原理。

图1是示出根据本公开第一实施方案的半导体发光元件的示意性结构的断面图。

图2A是示出图1所示的半导体发光元件的制造过程的断面图。

图2B是示出图2A的后续过程的断面图。

图2C是示出图2B的后续过程的断面图。

图3A是示出根据本公开第二实施方案的半导体发光装置的示意性结构的断面图。

图3B是示出根据图3A所示的本公开第二实施方案的半导体发光装置的变形例的断面图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细说明本公开的实施方案。需要指出的是，将按以下顺序进行说明。

1.第一实施方案

包括设置有突出条纹部的半导体层的半导体发光元件

2.第二实施方案

根据第一实施方案的半导体发光元件与基体接合的半导体发光装置

<第一实施方案>

[半导体发光元件10的结构]

图1是示出根据本公开第一实施方案的半导体发光元件(半导体激光器元件)10的断面结构的图。