[发明专利]半导体发光元件和半导体发光装置在审
申请号: | 201410322660.1 | 申请日: | 2014-07-08 |
公开(公告)号: | CN104300066A | 公开(公告)日: | 2015-01-21 |
发明(设计)人: | 村山雅洋;石合善徳;菊地雄一郎 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/46 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 梁兴龙;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 发光 元件 装置 | ||
1.一种半导体发光元件,按顺序包括:
半导体层;
电极层;
含有储氢金属的金属层;和
镀层。
2.根据权利要求1所述的半导体发光元件,其中
所述半导体层是氮化物半导体层,
所述电极层是p侧电极层,
所述金属层含有作为储氢金属的钯或镍中的至少一种,以及
所述镀层含有金。
3.根据权利要求1所述的半导体发光元件,其中
所述电极层具有包括与所述半导体层接触并含有钯的层的多层结构。
4.根据权利要求1所述的半导体发光元件,其中
所述金属层具有包括钯层和镍层的多层结构。
5.一种半导体发光装置,包括:
基体;和
半导体发光元件,所述半导体发光元件经由接合层与所述基体接合,并通过从所述基体侧按顺序层叠镀层、含有储氢金属的金属层、电极层和半导体层构成。
6.根据权利要求5所述的半导体发光装置,其中
所述半导体层是氮化物半导体层,
所述电极层是p侧电极层,
所述金属层含有作为储氢金属的钯或镍中的至少一种,以及
所述镀层含有金。
7.根据权利要求5所述的半导体发光装置,还包括
在所述接合层和所述电极层之间的阻隔层,其中
所述接合层是含有锡的焊层,以及
所述阻隔层防止锡的扩散。
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