[发明专利]AMOLED结构及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及OLED领域，尤其涉及一种用于改善OLED膜层断裂问题的AMOLED结构及其制作方法。

背景技术

AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管面板)相比传统的液晶面板，具有反应速度快、对比度高、视角广等特点。另外AMOLED还具有自发光的特色，不需使用背光板，因此比传统的液晶面板更轻薄，还可以省去背光模块的成本。多方面的优势使其具有良好的应用前景。

现有的AMOLED在生成过程中要求很高，一般AMOLED是越薄越好，所以在AMOLED结构中将OLED层制作的较薄，以取得轻薄的效果。但是从AMOLED的性能方面考虑，其中的像素层和空间层又需要有较厚的有机膜层，这样使得像素层和空间层两侧的斜面坡度较高，由于较薄的OLED层需要包覆于像素层和空间层两侧的斜坡，在爬坡过程中很容易出现膜层断裂的现象。如果将OLED层制作的较厚，则可以解决膜层断裂的现象，但是又不能满足整体AMOLED轻薄的要求。这样就陷入了两难的境地。下面结合图1至图4，对现有技术中OLED膜层出现断裂现象进行说明。如图1所示，显示了现有技术中一种AMOLED的结构，包括依次设置的玻璃基板11、TFT电路层12、以及像素层13。AMOLED结构因需要考虑光学因素，则像素层13的厚度较厚，导致像素层13两侧的斜坡面的坡度较陡。结合图2所示，图2显示了在图1之上制作OLED膜层的示意图，在TFT电路层12、以及像素层13之上制作OLED层15，在制作过程中OLED层15会于像素层13的两斜坡面处产生膜裂现象，产生断裂面151、152。如图3所示，显示了现有技术中另一种AMOLED的结构，包括依次设置的玻璃基板21、TFT电路层22、像素层23、以及空间层24，空间层24起到缓冲作用，支撑玻璃基板21和上面的盖板，以保护TFT电路层22不受损伤，所以空间层24的厚度较厚，其两侧形成的斜坡面的坡度较陡；像素层23出于光学因素的考虑，也需要制作的较厚，其两侧形成的斜坡面的坡度也较陡。如图4所示，显示了在图3结构之上制作OLED层的示意图，在TFT电路层22、像素层23、以及空间层24之上制作OLED层25，由于像素层23和空间层24两侧形成有较陡的斜坡面，所以OLED层25在制作过程中于斜坡面处会产生断裂面251、252、253、254，致使OLED层25出现膜裂现象，影响产品的质量。为满足光学因素等要求，像素层和空间层需要具有较厚的膜层，这样导致了OLED层爬坡时产生断裂现象，影响产品的质量。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种AMOLED结构及其制作方法，可以解决OLED层爬坡产生膜层断裂现象的问题，保证原有像素层和空间层的厚度不变，减小斜坡面的坡度，从而避免产生OLED膜层断裂的现象。

实现上述目的的技术方案是：

本发明一种AMOLED结构，包括TFT电路层、设于所述TFT电路层之上的像素层、设于所述像素层之上的OLED层；所述像素层包括第一像素层、以及第二像素层；所述第一像素层设于所述TFT电路层之上，并于两侧形成有第一斜坡面；所述第二像素层设于所述第一像素层之上，并于两侧形成有第二斜坡面；所述OLED层包覆于所述TFT电路层、所述第一像素层以及所述第二像素层。

采用第一像素层和第二像素层组合形成现有技术中的像素层的技术方案，这样使得第一像素层和第二像素层单独的膜厚变小，这样其分别产生的第一斜坡面和第二斜坡面的坡度也就比现有技术中的像素层的斜面坡度小，至少该坡度要小一倍，这样OLED层在制备过程中不会出现膜层断裂的现象。

本发明AMOLED结构的进一步改进在于，所述第二像素层内还设有空间层。

本发明AMOLED结构的进一步改进在于，所述第二像素层形成的第二斜坡面包括第一斜面、连接平面、以及第二斜面，所述第一斜面和第二斜面与所述连接平面形成阶梯式斜坡面。

本发明AMOLED结构的进一步改进在于，所述第一斜坡面和所述第二斜坡面与所述第一像素层的顶面形成有阶梯式斜坡面。

本发明一种AMOLED结构的制作方法，包括：

于TFT电路层之上制备第一像素层，所述第一像素层的侧部形成第一斜坡面；

于所述第一像素层之上制备第二像素层，将所述第二像素层的两侧部形成第二斜坡面；

于所述第二像素层之上制备包覆TFT电路层、所述第一像素层、以及所述第二像素层的OLED层。