[发明专利]AMOLED结构及其制作方法

权利要求书

1.一种AMOLED结构，其特征在于，包括TFT电路层、设于所述TFT电路层之上的像素层、设于所述像素层之上的OLED层；所述像素层包括第一像素层、以及第二像素层；所述第一像素层设于所述TFT电路层之上，并于两侧形成有第一斜坡面；所述第二像素层设于所述第一像素层之上，并于两侧形成有第二斜坡面；所述OLED层包覆于所述TFT电路层、所述第一像素层以及所述第二像素层。

2.如权利要求1所述的AMOLED结构，其特征在于，所述第二像素层内还设有空间层。

3.如权利要求2所述的AMOLED结构，其特征在于，所述第二像素层形成的第二斜坡面包括第一斜面、连接平面、以及第二斜面，所述第一斜面和第二斜面与所述连接平面形成阶梯式斜坡面。

4.如权利要求1所述的AMOLED结构，其特征在于，所述第一斜坡面和所述第二斜坡面与所述第一像素层的顶面形成有阶梯式斜坡面。

5.一种AMOLED结构的制作方法，其特征在于，包括：

于TFT电路层之上制备第一像素层，所述第一像素层的侧部形成第一斜坡面；

于所述第一像素层之上制备第二像素层，将所述第二像素层的两侧部形成第二斜坡面；

于所述第二像素层之上制备包覆TFT电路层、所述第一像素层、以及所述第二像素层的OLED层。

6.如权利要求5所述的AMOLED结构的制作方法，其特征在于，制备第二像素层之前先于所述第一像素层之上设置空间层，然后制备包覆于所述空间层的第二像素层。

7.如权利要求6所述的AMOLED结构的制作方法，其特征在于，在制备所述第二像素层时，将所述第二像素层的两侧部制成包含多个斜面的阶梯式斜坡面。