[发明专利]一种提高金属纳米环结构可控出光效率的方法无效
申请号: | 201410316866.3 | 申请日: | 2014-07-04 |
公开(公告)号: | CN104078625A | 公开(公告)日: | 2014-10-01 |
发明(设计)人: | 吴泓均;鲍明东 | 申请(专利权)人: | 宁波工程学院 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 | 代理人: | 张强 |
地址: | 315211 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 金属 纳米 结构 可控 效率 方法 | ||
1.一种提高金属纳米环结构可控出光效率的方法,该方法包括以下步骤:(1)通过旋转涂布法制备周期性排列高分子纳米球的单层模板;(2)反应性离子刻蚀,获得刻蚀后的单层模板;(3)通过定向性闭合场非平衡磁控溅射离子镀系统对步骤(2)中的刻蚀后的单层模板进行溅射沉积;(4)通过湿刻蚀方法除去高分子纳米球,获得具有金属纳米环结构的单层模板;(5)将步骤(4)中获得的单层模板用于发光器件中,其特征在于,所述反应性离子刻蚀分两次进行,其中第一次刻蚀功率为50w~60w,时间为5分钟~7分钟;所述第二次刻蚀功率为30w~40w,时间为4分钟~12分钟;所用的刻蚀气体为氧气。
2.根据权利要求1所述的一种提高金属纳米环结构可控出光效率的方法,其特征在于,所述步骤(1)中旋转涂布机的转速为300 rpm~1200 rpm,转动时间4分钟。
3.根据权利要求2所述的一种提高金属纳米环结构可控出光效率的方法,其特征在于,所述步骤(3)中溅射靶材是Cr金属,模板和靶之间的距离为150 mm,溅射腔体的基础压力抽至1.5×10-5 torr,基板偏压为-70V,Cr靶电流1A,生长速率为0.13纳米/秒。
4.根据权利要求3所述的一种提高金属纳米环结构可控出光效率的方法,其特征在于,所述步骤(4)湿刻蚀方法分三次进行,其中第一次刻蚀液体为二氯甲烷,第二次刻蚀液体为丙酮,第三次刻蚀液体为乙醇,每次刻蚀时间为10分钟。
5.根据权利要求4所述的一种提高金属纳米环结构可控出光效率的方法,其特征在于,所述步骤(5)中制作发光器件时所用的发光层材料为三(8-羟基喹啉)铝。
6.根据权利要求1至5任一项所述的一种提高金属纳米环结构可控出光效率的方法,其特征在于,所述高分子纳米球所用材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯中的一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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