[发明专利]一种提高金属纳米环结构可控出光效率的方法无效

专利信息
申请号: 201410316866.3 申请日: 2014-07-04
公开(公告)号: CN104078625A 公开(公告)日: 2014-10-01
发明(设计)人: 吴泓均;鲍明东 申请(专利权)人: 宁波工程学院
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56
代理公司: 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 代理人: 张强
地址: 315211 *** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 金属 纳米 结构 可控 效率 方法
【权利要求书】:

1.一种提高金属纳米环结构可控出光效率的方法,该方法包括以下步骤:(1)通过旋转涂布法制备周期性排列高分子纳米球的单层模板;(2)反应性离子刻蚀,获得刻蚀后的单层模板;(3)通过定向性闭合场非平衡磁控溅射离子镀系统对步骤(2)中的刻蚀后的单层模板进行溅射沉积;(4)通过湿刻蚀方法除去高分子纳米球,获得具有金属纳米环结构的单层模板;(5)将步骤(4)中获得的单层模板用于发光器件中,其特征在于,所述反应性离子刻蚀分两次进行,其中第一次刻蚀功率为50w~60w,时间为5分钟~7分钟;所述第二次刻蚀功率为30w~40w,时间为4分钟~12分钟;所用的刻蚀气体为氧气。

2.根据权利要求1所述的一种提高金属纳米环结构可控出光效率的方法,其特征在于,所述步骤(1)中旋转涂布机的转速为300 rpm~1200 rpm,转动时间4分钟。

3.根据权利要求2所述的一种提高金属纳米环结构可控出光效率的方法,其特征在于,所述步骤(3)中溅射靶材是Cr金属,模板和靶之间的距离为150 mm,溅射腔体的基础压力抽至1.5×10-5 torr,基板偏压为-70V,Cr靶电流1A,生长速率为0.13纳米/秒。

4.根据权利要求3所述的一种提高金属纳米环结构可控出光效率的方法,其特征在于,所述步骤(4)湿刻蚀方法分三次进行,其中第一次刻蚀液体为二氯甲烷,第二次刻蚀液体为丙酮,第三次刻蚀液体为乙醇,每次刻蚀时间为10分钟。

5.根据权利要求4所述的一种提高金属纳米环结构可控出光效率的方法,其特征在于,所述步骤(5)中制作发光器件时所用的发光层材料为三(8-羟基喹啉)铝。

6.根据权利要求1至5任一项所述的一种提高金属纳米环结构可控出光效率的方法,其特征在于,所述高分子纳米球所用材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯中的一种。

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