[发明专利]厚度变化测量装置及其方法在审
| 申请号: | 201410313661.X | 申请日: | 2014-07-02 |
| 公开(公告)号: | CN104947040A | 公开(公告)日: | 2015-09-30 |
| 发明(设计)人: | 李淳钟;禹奉周;元惷渊 | 申请(专利权)人: | 塞米西斯科株式会社 |
| 主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;G01B11/06 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 厚度 变化 测量 装置 及其 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种膜厚度变化测量装置及其方法。
背景技术
继液晶显示装置(Liquid Crystal Display:LCD)、等离子显示装置(Plasma Display panel:PDP)之后,有机发光器件(Organic Light Emitting Device:OLED)是受广泛关注的新一代显示装置。
例如,有机发光器件中有机物层通过沉积(Thermal Deposition)方法形成,而至今还没有能够精确检测基板上所沉积的沉积膜厚度的方法。因此,只能在沉积工序结束后找出厚度不达标的基板,造成生产收益下降。
现有技术文献
韩国公开专利公报第2012-0021041号(2012年3月8日)
发明内容
技术问题
本发明的目的在于提供一种能够检测沉积膜的厚度变化的装置及其方法。
技术方案
为达成上述目的,本发明一个实施例的厚度变化测量装置,其特征在于,包括:腔室;沉积源,其位于所述腔室的内部,提供沉积物质使得基板上形成沉积膜;膜厚度判断部,其位于所述腔室的内部,被沉积提供的所述沉积物质中的一部分;光输出部,其向所述膜厚度判断部输出波长各异的光;以及光检测部,其检测被所述膜厚度判断部上的膜或所述膜厚度判断部反射的反射光,或检测透过所述膜厚度判断部的膜的透射光。
本发明另一实施例的厚度变化测量装置,其特征在于,包括:腔室;沉积源,其位于所述腔室的内部,提供沉积物质使得基板上形成沉积膜;遮罩,其位于所述基板的前面;遮罩支撑构件,其支撑所述遮罩;光输出部,其向沉积在所述遮罩上的膜、沉积在所述遮罩支撑构件上的膜或所述基板上的沉积膜输出波长各异的光;以及光检测部,其检测被沉积在所述遮罩上的膜、沉积在所述遮罩支撑构件上的膜或所述基板上的沉积膜反射的反射光,或检测透过所述基板上的沉积膜的透射光。
本发明又一实施例的厚度变化测量装置,其特征在于,包括:腔室;沉积源,其位于所述腔室的内部,提供沉积物质使得基板上形成沉积膜;以及厚度检测单元,其位于所述腔室的内部。其中,所述厚度检测单元为一体式,包括被沉积从所述沉积源蒸发的沉积物质的膜厚度判断部及用于检测透过所述膜厚度判断部上的膜的透射光的光检测部,所述光检测部位于所述厚度检测单元的内侧。
本发明一个实施例的厚度变化测量方法,其特征在于,包括:在沉积工序期间向基板、膜厚度判断部或遮罩的第一位置照射第一波长的激光的步骤;在所述沉积工序期间向所述第一位置照射第二波长的激光的步骤;以及通过照射的所述激光的反射光或透射光检测沉积在所述基板的沉积膜的厚度的步骤。
技术效果
本发明的厚度变化测量装置及其方法可利用波长各异的激光检测膜厚度判断部上的膜、遮罩上的膜等的厚度,并通过检测到的所述膜的厚度推算基板上的沉积膜的厚度。
并且,本发明的厚度变化测量装置及其方法也可以通过向基板上的沉积膜直接照射波长各异的激光,以直接检测所述沉积膜的厚度。
附图说明
图1为显示本发明第一实施例的沉积装置的结构的示意图;
图2为显示本发明一个实施例的沉积工序的流程图;
图3为显示通过图2所示沉积工序得到的膜的厚度变化的示意图;
图4为显示本发明第二实施例的沉积装置的结构的示意图;
图5为显示本发明第三实施例的沉积装置的结构的示意图;
图6为显示本发明第四实施例的沉积装置的结构的示意图;
图7为显示本发明第五实施例的沉积装置的结构的示意图;
图8为显示本发明其他实施例的膜厚度判断部的结构的示意图;
图9及图10为显示本发明又一其他实施例的膜厚度判断部的结构的示意图;
图11为显示本发明第六实施例的沉积装置的结构的示意图。
附图标记说明
100:腔室 102:基板
104:遮罩 106:基板放置部
108:固定部 110:遮罩支撑部
112:沉积源 114:膜厚度判断部
116:基板出入口 118:真空部
130:光输出部 132:光检测部
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