[发明专利]TE模介质谐振腔、滤波器及滤波方法

权利要求书

1.一种TE模介质谐振腔，包括谐振腔主体、内腔、以及位于所述内腔的谐振子，其特征是：所述谐振子包括第一谐振子单元和第二谐振子单元，所述第一谐振子单元与第二谐振子单元之间具有介质层，该介质层的介电常数比谐振子的介电常数低，采用氧化硅、橡胶、聚乙烯或空气；从而使得TE模介质谐振腔的谐振子产生的二次谐波TM模的频率远离TE模基模，以更容易将该二次谐波滤除；

所述谐振子由多个谐振子单元构成，相邻的谐振子单元之间具有低介电常数的介质层，多个谐振子单元构成的一个谐振子仅有一个基模频率。

2.如权利要求1所述的TE模介质谐振腔，其特征是：所述第一谐振子单元通过所述介质层支撑所述第二谐振子单元。

3.如权利要求2所述的TE模介质谐振腔，其特征是：还包括支撑件，所述支撑件位于所述内腔内，所述支撑件用于支撑所述第一谐振子单元。

4.如权利要求1所述的TE模介质谐振腔，其特征是：所述第一谐振子单元和第二谐振子单元的横截面是圆形、矩形或者环形。

5.如权利要求4所述的TE模介质谐振腔，其特征是：所述介质层是环形状，所述第一谐振子单元、第二谐振子单元和介质层的中心轴重合。

6.如权利要求1所述的TE模介质谐振腔，其特征是：所述介质层通过胶水固定在第一谐振子单元和第二谐振子单元上，或者，所述介质层通过烧结固定在第一谐振子单元和第二谐振子单元上。

7.如权利要求1所述的TE模介质谐振腔，其特征是：第一谐振子单元和/或第二谐振子单元上设有导电几何结构。

8.一种TE模介质滤波器，其特征是，包括如权利要求1至7中任一项所述的TE模介质谐振腔、以及低通滤波器，所述TE模介质谐振腔的输出端与所述低通滤波器的输入端连接，所述低通滤波器用于滤除所述谐振子的二次谐波。

9.如权利要求8所述的TE模介质滤波器，其特征是，所述TE模介质滤波器包括多个TE模介质谐振腔。

10.一种对TE模介质滤波器的二次谐波的滤波方法，其特征是：其采用如权利要求8或9所述的TE模介质滤波器，包括如下步骤：

通过所述TE模介质谐振腔将TE模介质谐振腔的谐振子的二次谐波频率提高到设定频率；

通过所述低通滤波器对所述二次谐波进行滤除。