[发明专利]太阳能硅片贴覆镀银铜线或镀锡铜线的设备有效

专利信息
申请号: 201410309937.7 申请日: 2014-07-02
公开(公告)号: CN104037268B 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 张安彬 申请(专利权)人: 无锡市明硕科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 江苏英特东华律师事务所32229 代理人: 邵鋆
地址: 214000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 太阳能 硅片 镀银 铜线 镀锡 设备
【说明书】:

技术领域

发明涉及太阳能电池领域,尤其涉及一种能够提高太阳能电池转换效率的方法和设备。

背景技术

太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。以光电效应工作的薄膜式太阳能电池为主流。太阳能电池主要是以半导体材料为基础,其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电于转换反应,当太阳能硅片的技术虽然已经较为成熟,但转换效率一直不高,在实验室里最高的转换效率为24.7%,在大规模生产时的转换效率为18%。由于太阳能硅成本价格高,大幅度降低其成本很困难,只有大规模生产时太阳能硅片的转换效率提高,企业的生产成本才能够真正的得到降低。

发明内容

为了解决现有技术中存在的太阳能硅片转换效率低的问题,本发明提供一种能够用来提高太阳能转化效率的方法及用于实现该方法的设备。

为了实现上述目的,本发明采用的技术方案是:太阳能硅片贴覆镀银/镀锡铜线的方法:

步骤1、将太阳能硅片放置在加热机构上,并通过压紧机构锁紧;

步骤2、将镀银/镀锡铜线放置在放线机构上;

步骤3、将铜线穿过缓冲机构和导向机构并通过后端压紧机构压紧;

步骤4、将太阳能硅片通过加热机构加热到设定值;

步骤5、抹平机构将镀银/镀锡铜线抹平贴覆在太阳能硅片上。

步骤6、剪线机构将铜线剪断,取出制得的成品。

进一步的,所述镀银铜线时太阳能硅片的加热温度为60-100度。

进一步的,所述镀锡铜线时太阳能硅片的加热温度为60-100度。

进一步的,包括机架、传动机构、控制模块、压紧机构、加热机构、放线机构、主动轮、缓冲机构、导向机构、剪线机构、抹平机构、后端压紧机构、总电源开关和总气阀;所述传动机构固定在机架的前后两侧,横穿整个机架内部;所述控制模块通过连接杆固定在机架的入口侧壁上;所述加热机构固定在两条传动机构之间;加热机构的上顶部与传动机构在同一水平面;加热机构与机架入口之间间隔一定距离;所述压紧机构与加热机构配合使用;所述放线机构、主动轮、缓冲机构、导向机构、剪线机构、抹平机构、和后端压紧机构从左至右相互配合共同组成机头组件;所述机头组件固定在传动机构靠近出口端;所述总电源开关和总气阀分别固定在入口侧壁上;所述控制模块分别与传动机构、压紧机构、加热机构、放线机构、主动轮、导向机构、剪线机构、抹平机构、后端压紧机构、总电源开关和总气阀电连接;所述总气阀分别与压紧机构、放线机构、导向机构、剪线机构、抹平机构、后端压紧机构气路连接。

进一步的,所述加热机构与机架入口之间间隔为机头组件的距离。

采用本发明的技术方案,加热模块将太阳能硅片加热到设定的温度,加热完成的后,机头组件通过传动机构想入口端移动,同时带动将镀银/镀锡铜线经过放线机构、主动轮、缓冲结构及导线机构调整到与太阳能硅片适合的位置,后端压紧机构将镀银/镀锡铜线夹持牢固;经过抹平机构的抹平处理后将镀银/镀锡铜线完全贴覆在太阳能硅片上,贴覆完全之后剪线机构将镀银/镀锡铜线的剪切,完成这个工作流程。太阳能硅片贴覆了镀银/镀锡铜线之后,极大地提高了太阳能电池的转换效率。本发明所采用的设备,结构简单,使用方便,自动化程度较高,极大地提高了大规模生产的工作效率。

附图说明

图1是用于太阳能硅片贴覆镀银/镀锡铜线的机器的正面结构示意图。

图2是用于太阳能硅片贴覆镀银/镀锡铜线的机器的侧面结构示意图。

其中:1、机架,2、传动机构,3、控制模块,4、压紧机构,5、加热机构,6、放线机构,7、主动轮、8、缓冲机构,9、导向机构,10、剪线机构,11、抹平机构,12、后端压紧机构,13、总电源开关,14、总气阀,15、风扇,16、声光报警器,91、上下气缸,92、导向轮。

具体实施方式

下面结合附图对本发明优选的方案做进一步的阐述。

太阳能硅片贴覆镀银/镀锡铜线的方法:

步骤1、将太阳能硅片放置在加热机构5上,并通过压紧机构4锁紧;

步骤2、将镀银/镀锡铜线放置在放线机构6上;

步骤3、将铜线穿过缓冲机构8和导向机构9并通过后端压紧机构12压紧;

步骤4、将太阳能硅片通过加热机构加热到设定值;

步骤5、抹平机构11将镀银/镀锡铜线抹平贴覆在太阳能硅片上;

步骤6、剪线机构10将铜线剪断,取出制出的成品。

进一步的,所述镀银铜线时太阳能硅片的加热温度为60-100度。

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