[发明专利]半导体功率器件的导线强化焊接结构有效
| 申请号： | 201410308021.X | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN104103619B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 石海忠;顾夏茂;郇林香;毛倩;施清云 | 申请（专利权）人： | 通富微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)11435 | 代理人： | 孟阿妮 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 导线 强化 焊接 结构 | ||
1.一种半导体功率器件的导线强化焊接结构，包括框架内引线，所述框架内引线的表面具有焊接区，所述焊接区焊接有导线，其特征在于，所述焊接区两侧的框架内引线上设有向上的翻边，所述框架内引线、翻边及导线与焊接区连接的一端的外围设有塑封层；
所述翻边与框架内引线表面的夹角为5～85°。
2.根据权利要求1所述的半导体功率器件的导线强化焊接结构，其特征在于，所述翻边在竖直方向的高度为所述框架内引线的厚度的2.5-3.5倍。
3.根据权利要求2所述的半导体功率器件的导线强化焊接结构，其特征在于，所述翻边在竖直方向的高度为所述框架内引线的厚度的3.0倍。
4.根据权利要求1所述的半导体功率器件的导线强化焊接结构，其特征在于，所述框架内引线与所述翻边为一体结构。
5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体功率器件的导线强化焊接结构，其特征在于，所述框架内引线包括间隔距离依次设置的第一框架内引线、第二框架内引线及第三框架内引线，所述导线包括第一导线和两个第二导线，所述第一框架内引线的焊接区焊接有第一导线，所述第三框架内引线的焊接区分别焊接有两个第二导线，所述第三框架内引线的两侧设有向上的翻边。
6.根据权利要求5所述的半导体功率器件的导线强化焊接结构，其特征在于，所述第一导线和两个第二导线均为铝线。
7.根据权利要求5所述的半导体功率器件的导线强化焊接结构，其特征在于，所述第一导线为铝线，两个所述第二导线为铝带。
8.根据权利要求5所述的半导体功率器件的导线强化焊接结构，其特征在于，还包括框架载片台，所述框架载片台上固定连接有芯片，所述导线远离所述框架内引线的一端与所述芯片焊接。
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