[发明专利]一种图案化薄膜的制备方法、显示基板及显示装置有效
| 申请号: | 201410306505.0 | 申请日: | 2014-06-30 |
| 公开(公告)号: | CN104091761B | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
| 发明(设计)人: | 李琳;唐琛;辛阳阳;常珊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L21/768;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 图案 薄膜 制备 方法 显示 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种图案化薄膜的制备方法、显示基板及显示装置。
背景技术
透明导电薄膜是一种能够涂覆在具有高透光性的基板表面上的导电性薄膜。该薄膜同时具有良好的光学透明度和表面传导性,被广泛地应用在显示领域中。
在透明导电薄膜中,铟锡氧化物(Indium tin oxide,简称ITO)薄膜因具有优异的光学透明性和导电性而成为应用最广泛的材料。然而由于铟元素是稀有金属,资源的匮乏,且铟的氧化物有毒、不环保,因此迫切需要替代材料。目前,导电高分子、碳纳米管、银纳米线、金属纳米线等都是有望用于代替ITO的材料。相比较而言金属纳米线中的银纳米线因金属银卓越的化学性质稳定性和优异的导电性而得到了广泛的关注和研究。
在现有技术中,一般采用半导体制程工艺来实现银纳米线的图案化,具体的,可以在以形成的银纳米线薄膜层的表面涂覆光刻胶,然后通过曝光、显影、刻蚀等构图工艺得到银纳米线图案。但由于银纳米线薄膜较薄,使用目前常规的光刻胶在剥离时有可能会发生银纳米线薄膜脱落,或者光刻胶在银纳米线膜层上残留的情况,从而严重影响产品质量。并且针对银纳米线薄膜研发特定的光刻胶材料和工艺又会增加成本,提高量产难度。
发明内容
本发明的实施例提供一种图案化薄膜的制备方法、显示基板及显示装置,避免在对光刻胶层进行剥离的过程中,发生薄膜层的脱落。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明实施例的一方面,提供一种图案化薄膜的制备方法,包括:
在预设基板的表面上形成预设薄膜层;
在形成有上述结构的基板表面形成隔离层;
在形成有上述结构的基板表面形成光刻胶层,并通过构图工艺形成所述隔离层的图案;
在形成有上述结构的基板表面去除未被所述隔离层覆盖的所述预设薄膜层;
在形成有上述结构的基板表面对所述光刻胶层进行剥离,并去除所述隔离层的图案,以形成所述预设薄膜层的图案。
本发明实施例的另一方面,提供一种显示基板,包括透明基板以及位于所述透明基板表面的预设薄膜层的图案,所述预设薄膜层的图案采用如上所述的任意一种图案化薄膜的制备方法制成。
本发明实施例的又一方面,提供一种显示装置,包括如上所述的任意一种显示基板。
本发明实施例提供一种图案化薄膜的制备方法、显示基板及显示装置。该图案化薄膜的制备方法包括在预设基板的表面上形成预设薄膜层;隔离层覆盖上述预设薄膜层;在隔离层的表面形成光刻胶层,通过构图工艺形成隔离层的图案;然后将未被隔离层覆盖的预设薄膜层去除,最后去除剩余的隔离层并将光刻胶层剥离,最终形成预设薄膜层的图案。这样一来,光刻胶层无需直接与预设薄膜层相接触,从而能够避免对光刻胶层进行剥离时,造成预设薄膜层脱离的现象发生,从而能够提高产品质量以及产品合格率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种图案化薄膜的制备方法的流程示意图;
图2a-图2g为本发明实施例提供的一种图案化薄膜的制备流程中各步骤的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种图案化薄膜的制备方法,如图1所示,包括:
S101、如图2a所示,在预设基板10表面上形成预设薄膜层11。
需要说明的是,上述预设基板10的表面可以是透明基板的表面,或者可以是在该透明基板上形成有堆叠结构的多个薄膜层中,位于最上方的薄膜层的表面。其中,上述透明基板可以是透明玻璃基板或透明树脂基板,本发明对此不做限制。
S102、如图2b所示,在形成有上述结构的基板表面形成隔离层12。
具体的,可以通过涂覆、喷涂等方法在完成步骤S101之后形成的基板表面制作隔离层12。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410306505.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





