[发明专利]一种图案化薄膜的制备方法、显示基板及显示装置有效
| 申请号： | 201410306505.0 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN104091761B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 李琳;唐琛;辛阳阳;常珊 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 图案 薄膜 制备 方法 显示 显示装置 | ||
1.一种图案化薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
在预设基板的表面上形成预设薄膜层；
在形成有上述结构的基板表面形成隔离层；
在形成有上述结构的基板表面形成光刻胶层，并通过构图工艺形成所述隔离层的图案；
在形成有上述结构的基板表面去除未被所述隔离层覆盖的所述预设薄膜层；
在形成有上述结构的基板表面对所述光刻胶层进行剥离，并去除所述隔离层的图案，形成所述预设薄膜层的图案。
2.根据权利要求1所述的图案化薄膜的制备方法，其特征在于，构成所述预设薄膜层的材料为银纳米线。
3.根据权利要求1或2所述的图案化薄膜的制备方法，其特征在于，所述去除所述隔离层的图案的方法包括湿法刻蚀。
4.根据权利要求3所述的图案化薄膜的制备方法，其特征在于，构成所述隔离层的材料包括金属活泼性大于金属银的材料。
5.根据权利要求4所述的图案化薄膜的制备方法，其特征在于，所述隔离层由金属铜或金属铝构成。
6.根据权利要求5所述的图案化薄膜的制备方法，其特征在于，所述隔离层的厚度范围为2000埃至5000埃。
7.一种显示基板，其特征在于，包括透明基板以及位于所述透明基板表面的预设薄膜层的图案，所述预设薄膜层的图案采用如权利要求1-6任一项所述的图案化薄膜的制备方法制成。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，构成所述预设薄膜层的材料为银纳米线。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，包括像素电极和/或公共电极；所述像素电极和/或所述公共电极由所述预设薄膜层的图案构成。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7-9任一项所述的显示基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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