[发明专利]放电保护电路及其控制方法

权利要求书

1.一种放电保护电路，包括：电芯组合，所述电芯组合包括一个以上的电芯，其特征在于，所述放电保护电路还包括：供电电路、输出电路、MCU芯片、电压检测电路、NTC电路、电流检测路、驱动电路和一个驱动开关；所述供电电路、输出电路和所述电芯组合构成串连，所述MCU芯片分别与所述电压检测电路、驱动电路、电流检测电路构成电连接，所述电压检测电路分别与所述电芯组合和NTC电路构成电连接，所述驱动开关包括：两个开关端和一个控制端，所述驱动开关的两个开关端串联在所述输出电路和所述电芯组合之间，所述电流检测电路电连接至所述输出电路和所述驱动开关开关端之间的电路中，所述驱动电路电连接至所述驱动开关的控制端控制所述两个开关端的通断；所述放电保护电路以每小时0.2倍标称电量进行放电的放电过程；所述MCU芯片能够实现MCU芯片周期控制，所述MCU芯片在一个周期的所述MCU芯片周期控制中至少具有一段工作时段和一段休眠时段，所述休眠时段的时间长度为所述工作时段时间长度的5至20倍。

2.根据权利要求1所述的放电保护电路，其特征在于，所述供电电路位于所述输出电路的高压侧，所述驱动开关位于所述输出电路的低压侧。

3.根据权利要求1所述的放电保护电路，其特征在于，所述电芯组合包括一个以上的串联单元，不同所述串联单元的之间构成串联，一个串联单元包括：一个以上的电芯，同一所述串联单元中电芯并联；所述电压检测电路与所述电芯组合之间设有多个电压采样电路，每个所述电压采样电路均设有一个采样控制开关，所述电压采样电路电连接至所述串联单元的高压端。

4.根据权利要求3所述的放电保护电路，其特征在于，一个所述采样控制开关处于连通时，其余所述采样控制开关均处于断开状态。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的放电保护电路，其特征在于，所述驱动开关为一个MOSFET开关。

6.一种放电保护电路的控制方法，其特征在于，所述放电保护电路为权利要求1中所述的放电保护电路，所述控制方法至少包括一个使所述放电保护电路以每小时0.2倍标称电量进行放电的放电过程。

7.根据权利要求6所述的放电保护电路的控制方法，其特征在于，所述控制方法至少包括如下控制环节：MCU芯片初始化和MCU芯片周期控制，所述所述MCU芯片在一个周期的所述MCU芯片周期控制中至少具有一段工作时段和一段休眠时段。

8.根据权利要求7所述的放电保护电路的控制方法，其特征在于，所述休眠时段的时间长度为所述工作时段时间长度的5至20倍。

9.根据权利要求8所述的放电保护电路的控制方法，其特征在于，所述控制方法在所述工作时段至少包括如下顺序执行的控制环节：电芯组合电压检测、放电电流检测、电芯的温度检测、控制所述驱动开关。

10.根据权利要求7至9任意一项所述的放电保护电路的控制方法，其特征在于，所述休眠时段的时间长度为所述工作时段时间长度的10倍。