[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201410304861.9 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN104779289A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 小野昇太郎;泉沢优;浦秀幸;山下浩明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
漏电极；
源电极；
第1导电类型的第1半导体层，设置于所述漏电极与所述源电极之间；
多个第1导电类型的第2半导体层，设置于所述第1半导体层与所述源电极之间，该第2半导体层的第1导电类型的杂质浓度高于所述第1半导体层；
多个第2导电类型的第3半导体层，该第3半导体层的所述漏电极侧的端部处于所述第1半导体层，该第3半导体层与所述第1半导体层以及所述第2半导体层相接地被设置；
多个第2导电类型的第4半导体层，设置于所述第2半导体层以及所述第3半导体层与所述源电极之间；
第1导电类型的第5半导体层，设置于所述第4半导体层与所述源电极之间，该第5半导体层的第1导电类型的杂质浓度高于所述第2半导体层；
场板电极，被所述第2半导体层夹持，并在与所述第2半导体层之间隔着第1绝缘膜被设置；以及
栅电极，在与所述第4半导体层之间，隔着膜厚比所述第1绝缘膜薄的第2绝缘膜被设置。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1半导体层与所述第2半导体层的边界在将所述第3半导体层与所述第1绝缘膜的距离设为d的情况下，相比于从所述第1绝缘膜的所述漏电极侧的端部向所述漏电极侧离开了距离d的位置，处于更靠近所述源电极侧。
3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，
所述场板电极和所述栅电极电气地分离，所述场板电极和所述源电极电气地导通。
4.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，
所述第3半导体层的图案和所述场板电极的图案的各个是条状的图案，所述第3半导体层的图案和所述场板电极的图案正交。
5.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，还具备：
第2导电类型的第6半导体层，设置于所述第4半导体层与所述源电极之间，该第6半导体层的第2导电类型的杂质浓度高于所述第4半导体层；以及
第1导电类型的半导体基板，设置于所述漏电极与所述第1半导体层之间，该半导体基板的第1导电类型的杂质浓度高于所述第1半导体层。
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