[发明专利]一种实现多晶硅太阳能电池蜂窝陷光绒面的方法无效

专利信息
申请号: 201410303634.4 申请日: 2014-06-30
公开(公告)号: CN104103716A 公开(公告)日: 2014-10-15
发明(设计)人: 徐华浦;金浩;蒋方丹;陈康平;郭俊华 申请(专利权)人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 代理人: 吴关炳
地址: 314416 浙江省嘉*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 实现 多晶 太阳能电池 蜂窝 陷光绒面 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于光伏技术领域,特别是涉及一种实现多晶硅太阳能电池蜂窝陷光绒面的方法。

背景技术

太阳能电池是利用光伏效应原理把太阳辐射能转换成电能,其中功能主要包括光吸收、光生电子空穴对产生、电子空穴各自分离并聚集、电流的引出等主要部分。其中电池的光吸收部分就包括降低反射、降低透射、增加内部漫反射等部分,统称为陷光技术。在目前的晶硅电池技术中降低光的正面反射率作为工艺及技术控制的重要内容。

目前的晶硅电池的正面采用制绒方法,主要有:碱化学液腐蚀制绒,酸化学液腐蚀制绒,物理方法绒面制绒(如光刻,离子刻蚀等技术)。而目前各种技术都存在一定不足,化学液体制绒的可控性差且陷光效果不理想,传统的半导体物理方法则代价高(新增机台等),工厂生产成本太高。

本发明主要利用现有的设备及技术,通过一种简单的方法,实现具有优质陷光效果的蜂窝绒面,同时具备良好的绒面可控性。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是一种实现多晶硅太阳能电池蜂窝陷光绒面的方法。使用目前已经成熟的设备及技术,实现具有优质陷光效果的蜂窝绒面的技术。

为了实现上述目的,本发明所采取的技术方案是,一种实现多晶硅太阳能电池蜂窝陷光绒面的方法,其特征是:利用PECVD方法在硅片表面沉积一层一定厚度的SiNx掩膜,采用丝网印刷技术在硅片表面选择性印刷腐蚀性浆料,待SiNx掩膜被腐蚀性浆料充分腐蚀后用DI水清洗,然后用酸性刻蚀液HNO3+HF对硅片印刷腐蚀性浆料区域进行腐蚀,再用HF去除SiNx掩膜,并用低浓度HNO3和HF混合溶液去除硅片表面损伤层,获得具有优质陷光效果的蜂窝绒面。

作为优选,所述的SiNx掩膜的厚度控制为10~30nm。

作为优选,所述的腐蚀性浆料为腐蚀性浆料为NH4F和HF混合凝胶溶液。

作为优选,所述的选择性印刷是采用图案设计为均匀排列的镂空圆孔的丝网印刷网版进行印刷,所述的网版图案中圆孔直径为 5~10um,圆孔间距为10~15um,其中圆孔区域为腐蚀性浆料印刷区域,其余区域为非腐蚀性浆料印刷区域。

作为优选,所述SiNx掩膜被腐蚀性浆料充分腐蚀的时间控制为60~120s。

作为优选,所述的酸性刻蚀液HNO3+HF中HNO3∶HF的体积比为6∶1。

作为优选,所述的低浓度HNO3和HF混合溶液是将所述的酸性刻蚀液HNO3+HF稀释20倍所得到的溶液。

作为优选,所述的NH4F和HF混合凝胶溶液中NH4F∶HF的体积比为1∶1。

本发明采用以下机台及化学用品:丝网印刷机台(如应用材料公司Baccini印刷机台)、PECVD机台(如CT公司的SiNx薄膜沉积机台)和化学清洗机台(槽式清洗或制绒机台,如RENA清洗机);NH4F和HF混合凝胶溶液(对SiNx薄膜有腐蚀性作用)、硝酸、氢氟酸和DI水。

本发明制备多晶硅太阳能电池蜂窝陷光绒面的具体流程如下:

a. 原始硅片准备:用于多晶硅太阳能电池制造的多晶125或156硅片。

b. 掩膜沉积:采用PECVD机台,通入SiH4和NH3气体,通过等离子体增强化学气相沉积方法沉积10~30nm的SiNx掩膜(阻挡膜)。

c. 丝网印刷:使用丝网印刷技术,利用丝网印刷机在沉积SiNx薄膜的硅片表面选择性印刷腐蚀性浆料,所用腐蚀性浆料为NH4F和HF混合凝胶溶液,丝网印刷网版图案设计为均匀排列的镂空圆孔,圆孔直径为5~10um,圆孔间距为10~15um,圆孔为腐蚀性浆料印刷区域,其余区域为非印刷区域;腐蚀性浆料在硅片表面放置60~120s,使其将SiNx薄膜充分腐蚀。

d. 清洗:用DI水清洗硅片表面,将腐蚀性浆料与SiNx反应的生成物去除干净,并对硅片表面进行清洗处理。

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