[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括有源层、栅极、源极和漏极，其特征在于，还包括仅在所述有源层的侧面上设置的用于降低薄膜晶体管边缘漏电流I_OFF的氧化硅层、以及覆盖所述有源层和所述氧化硅层的栅极绝缘层；

所述栅极设置于所述栅极绝缘层上方。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化硅层的厚度为

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层包括用于与所述源极和所述漏极接触的欧姆接触区，以及位于所述欧姆接触区内侧的低掺杂区，其中，所述有源层为通过掺入B元素形成的p型半导体，所述欧姆接触区通过掺入P元素形成，所述低掺杂区通过掺入P元素形成。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括层间绝缘层，所述层间绝缘层位于所述栅极上方，所述源极和所述漏极位于所述层间绝缘层上方，所述源极和所述漏极通过所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层的过孔与所述有源层电连接。

5.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板以及如权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管。

6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求5所述的阵列基板。

7.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成包括有源层的图形；

仅在所述有源层的侧面上形成用于降低薄膜晶体管边缘漏电流I_OFF的氧化硅层；

在形成有所述有源层和所述氧化硅层的衬底基板上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述有源层和所述氧化硅层。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述仅在所述有源层的侧面上形成氧化硅层，包括：

仅对所述有源层的侧面进行氧化工艺处理，以形成所述氧化硅层。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，

所述在衬底基板上形成包括有源层的图形，包括：

在所述衬底基板上形成一层非晶硅，经过晶化工艺使所述非晶硅转变为多晶硅；

在所述多晶硅上形成一层光刻胶，经过曝光、显影、刻蚀后，形成包括所述有源层的图形，所述有源层上覆盖有所述光刻胶；

对所述有源层的侧面进行氧化工艺处理，以形成所述氧化硅层，之后包括：

剥离所述有源层上覆盖的所述光刻胶。

10.根据权利要求8或9所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，

所述氧化工艺处理为热氧化工艺处理或者氧等离子体氧化工艺处理。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，

所述氧化工艺处理为氧等离子体氧化工艺处理，所述氧化工艺处理的时间为10s～40s。

12.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，还包括：

使所述有源层形成欧姆接触区和低掺杂区，所述低掺杂区位于所述欧姆接触区内侧。

13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述使所述有源层形成欧姆接触区和低掺杂区，包括：

通过离子注入的方法向有源层内掺入B元素；

通过离子注入的方法向所述有源层的用于与源极或者漏极连接的区域中掺入P元素，以形成所述欧姆接触区；

通过离子注入的方法向所述有源层的位于所述欧姆接触区内侧的区域掺杂比所述欧姆接触区少的P元素，以形成所述低掺杂区。