[发明专利]功率器件及其制造方法

权利要求书

1.一种功率器件，包括：

第一导电型的第一场阑层；

形成在所述第一场阑层上的并且为所述第一导电型的第二场阑层，所述第二场阑层具有杂质浓度高于所述第一场阑层的区域；

形成在所述第二场阑层上的并且为所述第一导电型的漂移区，所述漂移区具有的杂质浓度低于所述第一场阑层；

形成在所述漂移区上的多个功率器件单元；以及形成在所述第一场阑层下面的集电极区，

其中所述第二场阑层包括具有第一杂质浓度的第一区域和具有第二杂质浓度的第二区域，所述第二杂质浓度高于所述第一杂质浓度；

其中，所述第一区域具有杂质浓度分布，所述杂质浓度分布沿着所述第二场阑层的垂直方向从所述第一区域与所述漂移区的界面增加至第一最大杂质浓度、并且沿着所述垂直方向从所述第一最大杂质浓度减小至所述第一区域与所述第一场阑层的界面；以及

所述第二区域具有杂质浓度分布，所述杂质浓度分布沿所述第二场阑层的垂直方向从所述第二区域与所述漂移区的界面增加至第二最大杂质浓度、并且沿着所述垂直方向从所述第二最大杂质浓度减小至所述第二区域与所述第一场阑层的界面，所述第一最大杂质浓度不同于所述第二最大杂质浓度；

其中，所述第一场阑层在深度方向上具有均匀的杂质浓度分布。

2.根据权利要求1所述的功率器件，其中所述第一区域和所述第二区域彼此接触。

3.根据权利要求1所述的功率器件，其中在一深度下的所述第二杂质浓度高于在所述深度下的所述第一杂质浓度。

4.根据权利要求1所述的功率器件，其中所述第二区域的平均杂质浓度高于所述第一区域的平均杂质浓度。

5.根据权利要求1所述的功率器件，其中所述第一区域和所述第二区域沿着水平方向交替设置。

6.根据权利要求2所述的功率器件，其中在恒定深度下，所述第二区域围绕所述第一区域。

7.根据权利要求1所述的功率器件，其中所述集电极区为第二导电型的，所述第二导电型不同于所述第一导电型。

8.根据权利要求1所述的功率器件，其中所述集电极区包括所述第一导电型的第一集电极区和第二导电型的第二集电极区，所述第二导电型不同于所述第一导电型。

9.根据权利要求8所述的功率器件，其中所述多个功率器件单元中的一些形成在所述第一区域上，并且所述多个功率器件单元的其余部分形成在所述第二区域上。

10.根据权利要求1所述的功率器件，其中所述漂移区在所述深度方向上具有均匀的杂质浓度分布。

11.根据权利要求1所述的功率器件，其中所述第一场阑层通过磨削直拉CZ单晶衬底的后表面而形成。

12.根据权利要求1所述的功率器件，其中所述漂移区通过外延生长在所述第二场阑层上形成。

13.根据权利要求1所述的功率器件，其中所述第二场阑层通过离子注入工艺而形成，其具有高于所述第一场阑层的杂质浓度。

14.根据权利要求13所述的功率器件，其中所述第二场阑层通过第一离子注入工艺而形成，其具有所述第一杂质浓度，并且所述第二区域通过第二离子注入工艺而形成，其具有所述第二杂质浓度。