[发明专利]具有减小的电阻抗和电容的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一类型区域，包括第一导电类型；

第二类型区域，包括第二导电类型；

沟道区，在所述第一类型区域和所述第二类型区域之间延伸，所述沟道区与所述第一类型区域的第一部分间隔开第一距离；以及

栅极区，围绕所述沟道区，所述栅极区包括电介质区和金属层，所述栅极区的第一部分与所述第一类型区域的第一部分间隔开第二距离，其中，所述第二距离大于所述第一距离；

第一绝缘体层，位于所述电介质区下方，并且在所述第一类型区域的第一部分和所述栅极区的第二部分之间延伸，所述栅极区的第二部分比所述栅极区的第一部分更接近于所述沟道区。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极区的第二部分与所述第一类型区域的所述第一部分间隔开第三距离。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，第一绝缘体层的第一部分围绕所述沟道区下面的第二漂移区。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一距离在0nm至1nm之间。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极区的栅极区长度大于所述沟道区的沟道区长度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第二绝缘体层的第一部分围绕所述沟道区，并且在所述沟道区和所述栅极区的金属层之间延伸。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述沟道区包括在垂直纳米线内。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一类型区域包括源极区，并且所述第二类型区域包括漏极区。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一类型区域包括漏极区，并且所述第二类型区域包括源极区。

10.一种半导体器件，包括：

第一类型区域，包括第一导电类型；

第二类型区域，包括第二导电类型；

沟道区，在所述第一类型区域和所述第二类型区域之间延伸，所述沟道区与所述第一类型区域的第一部分间隔开第一距离；以及

栅极区，围绕所述沟道区，所述栅极区包括电介质区和金属层，所述栅极区的第一部分与所述第一类型区域的第一部分间隔开第二距离，其中，所述第二距离大于所述第一距离；以及

第一绝缘体层的第一部分，位于所述电介质区下方，围绕所述沟道区下面的第二漂移区，并且在所述第一类型区域的第一部分和所述栅极区的第二部分之间延伸，所述栅极区的第二部分比所述栅极区的第一部分更接近于所述沟道区。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一距离在0nm和1nm之间。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一类型区域的所述第一导电类型与所述第二类型区域的所述第二导电类型相同。

13.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述栅极区的栅极区长度大于所述沟道区的沟道区长度。

14.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，第二绝缘体层的第一部分围绕所述沟道区，并且在所述沟道区和所述栅极区的金属层之间延伸。

15.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述沟道区包括在垂直纳米线内。

16.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一类型区域包括源极区，并且所述第二类型区域包括漏极区。

17.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一类型区域包括漏极区，并且所述第二类型区域包括源极区。