[发明专利]一种节省光刻版数量的金属氧化物半导体场器件制造方法有效
| 申请号： | 201410298952.6 | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN105336689B | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 韩广涛;孙贵鹏;林峰 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 节省 光刻 数量 金属 氧化物 半导体 器件 制造 方法 | ||
1.一种节省光刻版数量的金属氧化物半导体场器件制造方法，包括下列步骤：
在衬底上形成N阱、P阱隔离结构及栅氧化层，并淀积多晶硅；
采用第一光刻版光刻并刻蚀，形成NMOS的多晶硅栅极；其中采用第一光刻版曝光并显影后剩余的光刻胶将所述N阱上未被隔离结构覆盖的区域覆盖；
去胶后进行轻掺杂漏极离子注入，在所述P阱内形成N型第一掺杂区；其中，PMOS区域的多晶硅将该区域的有源区整个保护起来，使得离子不会注入进N阱；
在所述NMOS的多晶硅栅极两侧形成侧墙；
进行N型重掺杂离子注入，在所述P阱内形成N型第二掺杂区；
采用第二光刻版光刻并刻蚀，形成PMOS的多晶硅栅极；其中采用第二光刻版曝光并显影后剩余的光刻胶将所述P阱上未被隔离结构覆盖的区域覆盖；
进行N型离子的袋状注入，在所述N阱内形成袋状掺杂区；
在光刻胶的掩蔽下进行P型重掺杂离子注入，在所述N阱内形成P型掺杂区。
2.根据权利要求1所述的节省光刻版数量的金属氧化物半导体场器件制造方法，其特征在于，所述去胶后进行轻掺杂漏极离子注入，在所述P阱内形成N型第一掺杂区的步骤中，注入离子在所述NMOS的多晶硅栅极的作用下自对准。
3.根据权利要求1所述的节省光刻版数量的金属氧化物半导体场器件制造方法，其特征在于，所述N型第二掺杂区为N+区域。
4.根据权利要求1所述的节省光刻版数量的金属氧化物半导体场器件制造方法，其特征在于，所述P型掺杂区为P+区域。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
