[发明专利]器件隔离区域内的拾取器件结构

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

器件隔离区域，形成在半导体衬底内，所述器件隔离区域具有间隙；

一个或多个光敏器件，位于所述间隙中；

伪栅极结构，形成在所述衬底上方；

掺杂的拾取区域，形成在所述器件隔离区域内，其中，所述伪栅极结构包括部分地环绕所述掺杂的拾取区域的至少一个结构；以及

通孔，连接至所述掺杂的拾取区域。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述伪栅极结构邻近间隙，其中，所述间隙中形成有光敏器件。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述伪栅极结构形成为C形。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，位于C形伪栅极结构中的所述间隙的厚度是在所述伪栅极结构的壁上形成的间隔件材料的厚度的两倍。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述伪栅极结构形成为U形，其中，所述U形的开口端不面向邻近所述伪栅极结构的光敏器件。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述伪栅极结构包括环绕所述掺杂的拾取区域的四个拉长的结构并留下四个间隙。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：在所述伪栅极结构的壁上形成的侧壁间隔件。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述拾取区域与所述器件隔离区域掺杂有相同类型的掺杂剂，并且所述拾取区域比所述器件隔离区域具有更高的掺杂浓度。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述伪栅极结构是偏置的。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述伪栅极结构由多晶硅制成。

11.一种用于形成与光敏器件联合使用的晶体管器件的方法，所述方法包括：

在半导体衬底内形成器件隔离区域；

在所述器件隔离区域的间隙内形成光敏器件；

在所述衬底上方形成伪栅极结构；

邻近所述伪栅极结构形成掺杂的拾取区域；以及

形成连接至所述拾取区域的通孔；

其中，所述伪栅极结构包括一个或多个单独的结构，所述一个或多个单独的结构部分地环绕所述器件隔离区域内形成的所述掺杂的拾取区域。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述伪栅极结构形成为C形。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，位于C形伪栅极结构中的所述间隙的厚度是在所述伪栅极结构的壁上形成的间隔件材料的厚度的两倍。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述伪栅极结构形成为U形，其中，所述U形的开口端不面向邻近所述伪栅极结构的光敏器件。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述伪栅极结构包括环绕所述拾取区域的四个拉长结构并留下四个间隙。

16.根据权利要求11所述的方法，其中，所述伪栅极结构包括具有两个小间隙的两个L形结构，所述间隙的宽度是在所述伪栅极结构的壁上形成的间隔件材料的厚度的约两倍。

17.根据权利要求11所述的方法，其中，所述拾取区域与所述器件隔离区域掺杂有相同类型的掺杂剂，并且所述拾取区域比所述器件隔离区域具有更高的掺杂浓度。

18.根据权利要求11所述的方法，其中，所述伪栅极结构是偏置的。

19.根据权利要求11所述的方法，其中，所述伪栅极结构由多晶硅制成。

20.一种位于光敏器件阵列内的拾取器件，所述器件包括：

器件隔离区域，形成在半导体衬底内；

光敏器件，通过所述器件隔离区域隔离；

掺杂的拾取区域，形成在所述器件隔离区域内，其中，所述掺杂的拾取区域与所述器件隔离区域掺杂有相同类型的材料，并且所述掺杂的拾取区域比所述器件隔离区域具有更高的掺杂浓度；

多晶硅伪栅极结构，形成在所述衬底上方，所述伪栅极结构包括至少部分地环绕所述器件隔离区域内形成的所述掺杂的拾取区域的拉长的结构；以及

通孔，连接至所述拾取区域。