[发明专利]测试元件组、阵列基板、显示装置和测试方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种测试元件组、阵列基板、显示装置和测试方法。

背景技术

显示器的阵列基板中设置有薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，通过TFT实现显示的控制，在TFT制作完成后需要对TFT进行测试，以判断TFT是否有缺陷。

目前，对TFT的测试是在阵列基板上设置测试元件组(Test Element Group，TEG)，TEG位于阵列基板的显示区域外围，TEG中包括一个TFT，该与阵列基板中显示区域内的TFT结构相同，并且，TEG中TFT的源极、漏极和栅极分别连接有接触电极，通过探针碰触接触电极来进行TFT上信号的施加和获取，实现对TEG中的TFT进行电学性能的测试。然而，这种电学性能测试是为了验证TFT的功能，无法准确检测出TFT远离栅极一侧的有源层表面可能出现的问题，例如刻蚀不均匀、离子残留等，但是这些问题可能会对TFT的性能造成不良影响。如果需要检测TFT远离栅极一侧的有源层表面状况，需要通过台阶仪或通过对TFT样品切片后进行测量，但是这样会对TFT造成损伤。

发明内容

本发明提供一种测试元件组、阵列基板、显示装置和测试方法，能够有效检测出TFT远离栅极一侧的有源层表面的状况，且不会对TFT造成损伤。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

一方面，提供一种测试元件组，包括：

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和有源层；

所述薄膜晶体管远离所述栅极的一侧设置有测试电极，所述测试电极与所述薄膜晶体管之间设置有测试电极绝缘层；

第一接触电极，连接于所述源极，第二接触电极，连接于所述漏极，第三接触电极，连接于所述测试电极。

具体地，所述薄膜晶体管为底栅结构。

具体地，所述有源层的一侧设置有所述栅极，所述有源层与所述栅极之间设置有栅极绝缘层，所述有源层远离所述栅极的一侧设置有所述源极和漏极。

具体地，上述测试元件组，还包括：

第四接触电极，连接于所述栅极。

具体地，所述测试电极和所述第三接触电极由氧化铟锡材料制成。

另一方面，提供一种阵列基板，包括：上述的测试元件组，所述测试元件组设置于显示区域之外。

另一方面，提供一种显示装置，包括：上述的阵列基板。

另一方面，提供一种测试方法，利用上述的测试元件组进行测试，所述测试方法包括：

将所述测试元件组中的测试电极作为栅极，将所述测试绝缘层作为栅极绝缘层，以使所述测试元件组中的源极、漏极、有源层、测试电极和测试绝缘层形成测试薄膜晶体管，通过所述第一接触电极、第二接触电极和第三接触电极对所述测试薄膜晶体管进行电性测试。

本发明提供的测试元件组、阵列基板、显示装置和测试方法，通过在测试元件组中薄膜晶体管远离栅极的一侧设置测试电极，并对测试电极施加栅极电压信号来进行电性测试，根据电性测试的结果能够有效检测出远离栅极一侧的有源层表面的状况，且不会对TFT造成损伤，从而可以根据检测结果来改善TFT的制作工艺或设计，进而提高TFT的性能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例中一种测试元件组的结构示意图；

图2为图1的测试元件组中AA向的截面示意图；

图3为本发明实施例中另一种测试元件组的结构示意图；

图4为图3的测试元件组中BB向的截面示意图；

图5为本发明实施例中另一种测试元件组的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。