[发明专利]测试元件组、阵列基板、显示装置和测试方法有效
申请号: | 201410294760.8 | 申请日: | 2014-06-25 |
公开(公告)号: | CN104090389B | 公开(公告)日: | 2017-06-27 |
发明(设计)人: | 张明;张九占;杨通;王国磊;胡明 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/13 | 分类号: | G02F1/13;G09G3/00 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 元件 阵列 显示装置 方法 | ||
1.一种测试元件组,其特征在于,包括:
薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和有源层;
所述薄膜晶体管远离所述栅极的一侧设置有测试电极,所述测试电极与所述薄膜晶体管之间设置有测试电极绝缘层;
第一接触电极,连接于所述源极,第二接触电极,连接于所述漏极,第三接触电极,连接于所述测试电极;
其中,所述源极、漏极、有源层、测试电极和测试绝缘层形成测试薄膜晶体管,所述测试薄膜晶体管用于测试所述有源层中远离栅极一侧的表面状况。
2.根据权利要求1所述的测试元件组,其特征在于,
所述薄膜晶体管为底栅结构。
3.根据权利要求2所述的测试元件组,其特征在于,
所述有源层的一侧设置有所述栅极,所述有源层与所述栅极之间设置有栅极绝缘层,所述有源层远离所述栅极的一侧设置有所述源极和漏极。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的测试元件组,其特征在于,还包括:
第四接触电极,连接于所述栅极。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述的测试元件组,其特征在于,
所述测试电极和所述第三接触电极由氧化铟锡材料制成。
6.一种阵列基板,其特征在于,包括:如权利要求1至5中任意一项所述的测试元件组,所述测试元件组设置于显示区域之外。
7.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求6所述的阵列基板。
8.一种测试方法,其特征在于,利用如权利要求1至5中任意一项所述的测试元件组进行测试,所述测试方法包括:
将所述测试元件组中的测试电极作为栅极,将所述测试绝缘层作为栅极绝缘层,以使所述测试元件组中的源极、漏极、有源层、测试电极和测试绝缘层形成测试薄膜晶体管,通过所述第一接触电极、第二接触电极和第三接触电极对所述测试薄膜晶体管进行电性测试。
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