[发明专利]有机发光显示装置及其薄膜晶体管

说明书

技术领域

本发明涉及显示器，尤其涉及有机发光显示装置及其薄膜晶体管。

背景技术

目前，基板或基材可用以制造各种电子产品，例如玻璃基板透光基板可用以制造显示面板。以大尺寸的有机发光显示器(Organic LE Display,OLED)面板为例，其可切割成多个有机发光显示单元。有机发光显示单元至少包括一阳极电极板、一发光层与一阴极电极板；其中，发光层夹于阳极电极板以及阴极电极板之间形成一“三明治”(sandwich)结构。在正向电压驱动下，阳极电极板向发光层注入空穴，阴极电极板向发光层注入电子。注入的空穴和电子在发光层中相遇结合，使电子由激发态降回基态，并将多余能量以光波的形式辐射释出。

具体地，在有源矩阵有机发光二极管显示器中，薄膜晶体管通常用作每个像素处的开关器件。

近来已经有增大有机发光二极管显示器的尺寸的趋势。因此，更需要较高的分辨率。具有较高的分辨率的较大的有机发光二极管显示器必须要减小的RC延迟，可通过将布线的电阻最小化来实现减小的RC延迟。

通常，将电阻率小于12μΩcm的钼(Mo)和电阻率小于5.5μΩcm的铝(Al)用作电极或薄膜晶体管的布线。由于这些金属的电阻率高，所以这些金属易于使得难以制造具有较高的分辨率的较大的有机发光二极管显示器。因此，由于铜(Cu)的电阻率小于2.2μΩcm，所以正在对于将铜用作可选择的布线和电极进行研究。

然而，虽然可将铜应用与薄膜晶体管的栅电极、源电极和漏电极中的所有电极，但是当将铜应用于栅电极时，铜与形成有薄膜晶体管的玻璃基底的附着力差。此外，当将铜应用与源电极和漏电极时，铜会于用作缓冲器的硅(Si)膜反应。因此，当将铜应用于栅电极、源电极和/或漏电极时，不能以单层来使用铜。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：形成衬底上的半导体层；栅极电极；以及与所述半导体层相连接的源极电极和漏极电极，其中，所述栅极电极、所述源极电极以及所述漏极电极中的至少一个电极由具有第一镀层以及第二镀层的金属镀层形成，所述第二镀层在所述第一镀层的远离所述衬底的一侧，所述第一镀层由具有沿层厚方向浓度梯度变化的第一金属材料和第二金属材料的梯度层形成，所述第二镀层具有至少两个对层，所述对层由一层所述第一金属材料和一层所述第二金属材料交替堆叠，每个所述对层的所述第一金属材料层的厚度相同，每个所述对层的所述第二金属材料层的厚度也相同。

优选地，所述第一金属材料的含量远离所述衬底逐渐增加，所述第二金属材料的含量朝向所述衬底逐渐增加。

优选地，所述浓度梯度呈线性变化。

优选地，所述浓度梯度呈非线性变化。

优选地，所述第一金属材料作为至少一个电极的导线材料。

优选地，所述第一金属材料为铜。

优选地，所述第二金属材料作为粘附所述衬底的阻挡层的材料。

优选地，所述第二金属材料为以下材料中的一种或多种：钼；钛；铝；镍；或者氧化铟锡。

优选地，所述第一镀层的厚度占所述金属镀层的厚度的三分之一至二分之一。

优选地，每个所述对层的厚度为至

优选地，所述衬底为玻璃衬底。

根据本发明的又一方面，还提供一种有机发光显示装置，其特征在于，包括：形成在衬底上的栅极布线与数据布线；由所述栅极布线与所述数据布线形成的像素部分；以及设置在所述像素部分中的像素，其中，所述栅极布线与所述数据布线中至少一个布线由具有第一镀层以及第二镀层的金属镀层形成，所述第二镀层在所述第一镀层的远离所述衬底的一侧，所述第一镀层由具有沿层厚方向浓度梯度变化的第一金属材料和第二金属材料的梯度层形成，所述第二镀层具有至少两个对层，所述对层由一层所述第一金属材料和一层所述第二金属材料交替堆叠，每个所述对层的所述第一金属材料层的厚度相同，每个所述对层的所述第二金属材料层的厚度也相同，其中，所述像素包括晶体管、电容器和有机发光元件，所述数据布线包括所述晶体管的源极电极和所述晶体管的漏极电极中的至少一个，所述栅极布线包括所述晶体管的栅极电极。

优选地，所述第一金属材料的含量远离所述衬底逐渐增加，所述第二金属材料的含量朝向所述衬底逐渐增加。

优选地，所述浓度梯度呈线性变化。

优选地，所述浓度梯度呈非线性变化。

优选地，所述第一金属材料作为至少一个电极的导线材料。

优选地，所述第一金属材料为铜。

优选地，所述第二金属材料作为粘附所述衬底的阻挡层的材料。