[发明专利]有机发光显示装置及其薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

形成衬底上的半导体层；

栅极电极；以及

与所述半导体层相连接的源极电极和漏极电极，

其中，所述栅极电极、所述源极电极以及所述漏极电极中的至少一个电极由具有第一镀层以及第二镀层的金属镀层形成，所述第二镀层在所述第一镀层的远离所述衬底的一侧，

所述第一镀层由具有沿层厚方向浓度梯度变化的第一金属材料和第二金属材料的梯度层形成，

所述第二镀层具有至少两个对层，所述对层由一层所述第一金属材料和一层所述第二金属材料交替堆叠，每个所述对层的所述第一金属材料层的厚度相同，每个所述对层的所述第二金属材料层的厚度也相同。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一金属材料的含量远离所述衬底逐渐增加，所述第二金属材料的含量朝向所述衬底逐渐增加。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述浓度梯度呈线性变化。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述浓度梯度呈非线性变化。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一金属材料作为至少一个电极的导线材料。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一金属材料为铜。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二金属材料作为粘附所述衬底的阻挡层的材料。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二金属材料为以下材料中的一种或多种：

钼；

钛；

铝；

镍；或者

氧化铟锡。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一镀层的厚度占所述金属镀层的厚度的三分之一至二分之一。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，每个所述对层的厚度为至

11.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述衬底为玻璃衬底。

12.一种有机发光显示装置，其特征在于，包括：

形成在衬底上的栅极布线与数据布线；

由所述栅极布线与所述数据布线形成的像素部分；以及

设置在所述像素部分中的像素，

其中，所述栅极布线与所述数据布线中至少一个布线由具有第一镀层以及第二镀层的金属镀层形成，所述第二镀层在所述第一镀层的远离所述衬底的一侧，

所述第一镀层由具有沿层厚方向浓度梯度变化的第一金属材料和第二金属材料的梯度层形成，

所述第二镀层具有至少两个对层，所述对层由一层所述第一金属材料和一层所述第二金属材料交替堆叠，每个所述对层的所述第一金属材料层的厚度相同，每个所述对层的所述第二金属材料层的厚度也相同，

其中，所述像素包括晶体管、电容器和有机发光元件，所述数据布线包括所述晶体管的源极电极和所述晶体管的漏极电极中的至少一个，所述栅极布线包括所述晶体管的栅极电极。

13.根据权利要求12所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第一金属材料的含量远离所述衬底逐渐增加，所述第二金属材料的含量朝向所述衬底逐渐增加。

14.根据权利要求12所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述浓度梯度呈线性变化。

15.根据权利要求12所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述浓度梯度呈非线性变化。

16.根据权利要求12所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第一金属材料作为至少一个电极的导线材料。

17.根据权利要求16所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第一金属材料为铜。

18.根据权利要求12所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第二金属材料作为粘附所述衬底的阻挡层的材料。

19.根据权利要求12所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第二金属材料为以下材料中的一种或多种：

钼；

钛；

铝；

镍；或者

氧化铟锡。