[发明专利]一种上拉双扩散金属氧化物半导体及其制作方法

权利要求书

1.一种上拉双扩散金属氧化物半导体，包括：

具有第一掺杂类型的衬底；

形成在衬底上的外延层；

形成在外延层内具有第二掺杂类型的第一阱区；

形成在外延层内具有第一掺杂类型的第二阱区，所述第二阱区毗邻第一阱区；

形成在第一阱区内具有第一掺杂类型的基区，所述基区和第一阱区形成体-阱结；

形成在基区内的具有第一掺杂类型的体接触区；

形成在基区内的具有第二掺杂类型的源接触区，所述源接触区毗邻体接触区；

形成在第一阱区内的具有第二掺杂类型的漏接触区；

形成在外延层上的场氧；

形成在外延层上的栅氧；

厚栅氧，所述厚栅氧部分形成在栅氧上、部分形成在外延层上、部分形成在场氧上；

形成在场氧、栅氧和厚栅氧上的多晶硅栅，所述多晶硅栅包括终端部分和普通部分，所述终端部分包括在体-阱结上的有源多晶硅、在栅氧和厚栅氧上的第一延伸多晶硅、以及在厚栅氧和场氧上的第二延伸多晶硅。

2.如权利要求1所述的上拉双扩散金属氧化物半导体，其中所述有源多晶硅、第一延伸多晶硅和第二延伸多晶硅呈现为阶梯结构。

3.如权利要求1所述的上拉双扩散金属氧化物半导体，其中所述场氧具有浅沟道结构。

4.如权利要求1所述的上拉双扩散金属氧化物半导体，还包括：

与体接触区和源接触区接触的源极电极；

与漏接触区接触的漏极电极；以及

与多晶硅栅的普通部分接触的栅极电极。

5.如权利要求1所述的上拉双扩散金属氧化物半导体，还包括：形成在外延层内具有第二掺杂类型的轻掺杂区，所述第一阱区被所述轻掺杂阱区环绕。

6.如权利要求1所述的上拉双扩散金属氧化物半导体，还包括：形成在衬底内的具有第二掺杂类型的掩埋层。

7.一种制作上拉双扩散氧化物半导体的方法，包括：

在衬底上形成N型掩埋层；

在衬底上形成外延层；

在外延层内形成N型阱区和P型阱区；

在外延层上形成场氧，所述外延层的部分区域被所述场氧所覆盖；

在外延层上形成栅氧，在部分场氧、部分外延层和部分栅氧上形成厚栅氧，其中外延层未被场氧覆盖的区域被栅氧和厚栅氧覆盖；

在场氧、栅氧和厚栅氧上形成多晶硅栅，所述多晶硅栅包括终端部分和普通部分，所述终端部分包括有源多晶硅、形成在栅氧和厚栅氧上的第一延伸多晶硅，以及形成在厚栅氧和场氧上的第二延伸多晶硅；

在N型阱区内形成P型基区，所述P型基区和N型阱区形成体-阱结，所述体-阱结在有源多晶硅的下方；

在P型基区内形成体接触区和源接触区，在N型阱区内形成漏接触区；

形成与体接触区和源接触区接触的源极电极、与漏接触区接触的源极电极、以及与多晶硅栅的普通部分接触的栅极电极。

8.如权利要求7所述的制作方法，进一步包括：在N型阱区形成之前，在外延层内形成N型轻掺杂阱区，其中N型阱区在之后的制作过程中形成在所述N型轻掺杂阱区内。

9.如权利要求7所述的制作方法，其中所述有源多晶硅、第一延伸多晶硅和第二延伸多晶硅呈现为阶梯结构。

10.如权利要求7所述的制作方法，其中体接触区为P型掺杂，源接触区和漏接触区为N型掺杂，源接触区毗邻体接触区。