[发明专利]硅碳负极材料的制备方法有效
| 申请号： | 201410282686.8 | 申请日： | 2014-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN104103821A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 吴清国;权学军;朱玉巧;徐中领 | 申请（专利权）人： | 浙江瓦力新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01M4/48 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙) 33228 | 代理人： | 代忠炯 |
| 地址： | 315301 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 负极 材料 制备 方法 | ||
1. 一种硅碳负极材料的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
1）在化学气相沉积反应室内放置催化剂；
2）加热化学气相沉积反应室，往化学气相沉积反应室内通入反应气体源和载气，将化学气相反应过程中产生的Si-SiOx通过动态旋转的经过羧基化处理的碳基体，制得硅碳负极材料的前驱体；
3）对前驱体进行有机热解碳包覆处理，然后在非氧化气氛中煅烧得到硅碳负极材料。
2. 根据权利要求1所述的硅碳负极材料的制备方法，其特征在于：步骤2）中，化学气相沉积反应室的温度控制在200-1000℃之间。
3. 根据权利要求2所述的硅碳负极材料的制备方法，其特征在于：化学气相沉积反应室的温度控制在550-750℃之间。
4. 根据权利要求1所述的硅碳负极材料的制备方法，其特征在于：所述反应气体源为SiH4、SiH3R、SiH2R2、SiHR3中的一种或几种，其中，R为CH3或CH2CH3或OCH3或 OCH2CH3；所述载气为高纯氩气、高纯氮气中的一种或两种；所述反应气体源的流量为100-500mL/min，载气流量为1-100L/min。
5. 根据权利要求1所述的硅碳负极材料的制备方法，其特征在于：步骤2）中，化学气相沉积时间为60-180分钟。
6. 根据权利要求1所述的硅碳负极材料的制备方法，其特征在于：步骤2）中，碳基体的羧基化处理所用溶液为硝酸、盐酸、硫酸中的一种或多种。
7. 根据权利要求1所述的硅碳负极材料的制备方法，其特征在于：步骤3）中，前驱体的有机热解碳包覆处理选用蔗糖溶液、葡萄糖溶液中的一种或两种；有机热解碳包覆温度为50-250℃，包覆时间为0.5-5h。
8. 根据权利要求1所述的硅碳负极材料的制备方法，其特征在于：步骤3）中，前驱体的有机热解碳包覆过程中加入高导电性的纳米碳材料，所述纳米碳材料的加入量按重量百分比计为前驱体重量的0.1-5%。
9. 根据权利要求1所述的硅碳负极材料的制备方法，其特征在于：在非氧化气氛中煅烧的温度程序为200-700℃，1-6h；350-800℃，1-15h；350-1400℃，1-15h。
10. 根据权利要求1所述的硅碳负极材料的制备方法，其特征在于：所述碳基体为天然石墨、人造石墨、硬碳、中间相碳微球(MCMB)中的一种或几种。
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