[发明专利]一种电阻转变随机存储器RRAM的选通电路及选通方法

权利要求书

1.一种电阻转变随机存储器RRAM的选通电路，其特征在于，包括：行译码器、列译码器、第一数据选择器以及第二数据选择器；所述第二数据选择器连接控制信号；所述控制信号包括：写使能信号和读使能信号，用于选择存储器的工作模式，即读出或者写入；所述第二数据选择器分别与所述第一数据选择器以及所述RRAM的外围电路相连，用于数据的读出或者写入；其中，所述行译码器接收外部行选通地址信号，进行地址译码，并发送给RRAM的存储阵列，选通一行存储单元；所述列译码器接收外部列选通地址信号，进行地址译码，并发送给所述第一数据选择器，选通多列存储单元。

2.如权利要求1所述的电阻转变随机存储器RRAM的选通电路，其特征在于，第一数据选择器包括：多个数据选择开关；所述数据选择开关的数量与所述RRAM存储阵列的列数相同。

3.如权利要求2所述的电阻转变随机存储器RRAM的选通电路，其特征在于：所述数据选择开关的输入端与所述RRAM存储阵列的行线相连；所述数据选择开关的输出端与所述第二数据选择器的输入端相连；所述数据选择开关的控制端与所述列译码器的输出端相连。

4.如权利要求3所述的电阻转变随机存储器RRAM的选通电路，其特征在于，所述数据选择开关包括：传输门和反相器；所述传输门的控制信号端以及所述反相器的输入端相连，作为所述数据选择开关的控制信号接入端；所述传输门输入端作为所述数据选择开关的输入端；所述传输门输出端与第二级数据选择器相连；反相器的输出端与传输门的反相时钟相连。

5.如权利要求4所述的电阻转变随机存储器RRAM的选通电路，其特征在于，所述第二数据选择器包括：多路选择器MUX；所述MUX的输入端与所述第一数据选择器的输出端相连；所述MUX的输出端与外围电路相连；所述MUX的控制信号端连接所述控制信号。

6.一种电阻转变随机存储器RRAM存储空间的选通方法，基于权利要求5所述的电阻转变随机存储器RRAM的选通电路；其特征在于，包括以下步骤：

电阻转变随机存储器RRAM上电初始化后，行译码器以及列译码器对读入的选通信号进行地址译码，生成两路地址信号；

一路地址信号直接作用在存储阵列上，另一路地址信号选通第一数据选择器；

选通后的第一数据选择器与直接作用在存储阵列上的地址信号配合，选通存储阵列上的一个或多个存储单元。

7.如权利要求6所述的电阻转变随机存储器RRAM存储空间的选通方法，其特征在于，第一数据选择器包括：N个数据选择开关；N个所述选择开关分成n个开关组；任一开关组的多个数据选择开关采用统一的控制信号；n个所述开关组的控制信号各不相同。

8.如权利要求7所述的电阻转变随机存储器RRAM存储空间的选通方法，其特征在于：所述列译码器将待译码数据分段译码，将多段译码完的数据相与。