[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201410276851.9 | 申请日： | 2014-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN105448715B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 徐长春;叶彬 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；
在所述半导体衬底的将要形成源/漏区的部分中形成弓状凹槽；
执行高温退火处理，使所述弓状凹槽转变为U型凹槽，所述高温退火的温度为600-1200℃；
蚀刻所述高温退火后形成的U型凹槽，以形成∑状凹槽，并对所述∑状凹槽实施低温退火处理，所述高温退火的温度与所述低温退火的温度之间的差值为300-700℃；
在所述∑状凹槽中形成嵌入式锗硅层；其中，实施所述高温退火之前执行第一湿法清洗过程，以去除所述弓状凹槽中的残留物和杂质。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述弓状凹槽的步骤包括：先对所述半导体衬底的将要形成源/漏区的部分进行干法蚀刻以形成凹槽，然后对所述凹槽进行湿法蚀刻。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述干法蚀刻为由各向同性蚀刻和各向异性蚀刻构成的两步蚀刻，所述两步蚀刻的执行次序根据期望形成的凹槽的轮廓尺寸加以确定。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高温退火的工艺参数包括：退火时间为0-2小时，退火气氛为H2、N2或者Ar，压强为0-15MPa。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低温退火的工艺参数包括：温度低于所述高温退火的温度，退火时间为0-2小时，退火气氛为H2、N2或者Ar，压强为0-15MPa。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述低温退火的温度为500-900℃。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，实施所述低温退火之前，执行第二湿法清洗过程，以去除所述∑状凹槽中的残留物和杂质。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成∑状凹槽的蚀刻为湿法蚀刻，所述湿法蚀刻的腐蚀液为四甲基氢氧化铵溶液。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，实施低温选择性外延生长工艺形成所述嵌入式锗硅层，所述低温的温度为500-850℃。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极结构包括自下而上依次层叠的栅极介电层、栅极材料层和栅极硬掩蔽层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
