[发明专利]基板检测用定位图形及其制造方法在审
| 申请号: | 201410274153.5 | 申请日: | 2014-06-18 |
| 公开(公告)号: | CN104062783A | 公开(公告)日: | 2014-09-24 |
| 发明(设计)人: | 高冬子;柴立 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/13 | 分类号: | G02F1/13 |
| 代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;刘华联 |
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 检测 定位 图形 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及TFT LCD加工制造领域,尤其涉及一种基板检测用定位图形及其制造方法。
背景技术
随着TFT LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)产业的发展和竞争的加剧,追求玻璃利用率最大化成为提升产品竞争力的有效途径,为了提高玻璃利用率,会尽量靠近玻璃边缘来设计掩模版。
定位图形(例如,十字图形)是玻璃基板上起辅助作用的工艺结构,通常位于玻璃基板的最外侧,如图1所示,在玻璃基板的四角处分别有一个十字形状的定位图形。定位图形主要用于使各种检测设备与玻璃基板进行对位,在缺陷检查、尺寸量测、膜厚量测、线宽量测、电性测试、或成盒对组等过程中,都需要利用定位图形来进行定位。
现有工艺中使用的定位图形多为单层金属结构。下面以十字图形为例来说明其结构。具体如图2所示,该十字图形在阵列基板制程中的第一层金属膜成形过程中制作成型,并利用化学气相沉积的方法在成型后的十字图形20上面沉淀氮化硅绝缘膜22,该氮化硅绝缘膜22能够保护十字图形20在后续蚀刻制程中不被蚀刻掉。
然而,这种定位图形在实际制作和使用中会遇到以下问题:由于化学气相沉积设备自身的限制,其成膜保证区无法完全覆盖玻璃的边缘,导致定位图形未被绝缘膜覆盖的部分可能在后续的制程中被蚀刻掉,造成定位图形的缺失。
在图3中,图3(a)显示的是在第一层金属膜成形过程中成型的定位图形20;图3(b)显示了在定位图形20上沉淀了氮化硅绝缘膜22,但该氮化硅绝缘膜22只覆盖了定位图形20右边的一部分;图3(c)显示出经过了蚀刻之后的定位图形,由该图可以看出,原来没有被绝缘膜保护的左边部分被蚀刻掉了。
由于定位图形的缺失,在检测设备无法找到完整的定位图形进行对位时,便会将玻璃基板作为废品处理,给生产造成了不必要的损失。
因此,针对现有工艺中存在的上述问题,找到一种有效的防止定位图形缺失的解决方案,成为TFT LCD工艺制程中一个亟待解决的问题。
发明内容
为了解决上述问题,本发明设计一种新的基板检测用定位图形,包括:至少两层金属层图案;位于任意两层金属层图案之间的绝缘层。
在一个实施例中,所述基板检测用定位图形,还包括覆盖所述至少两层金属层图案的最外层金属层图案上的绝缘层。
在一个实施例中,所述金属层图案包括十字图形。
在一个实施例中,所述至少两层金属层图案的尺寸相同。
根据本发明的另一方面,还提供了一种基板检测用定位图形的制造方法,至少包括以下步骤:步骤1,在基板上沉积第一层金属膜;步骤2,在所述第一层金属膜上涂布光阻,并将掩膜版上的图案转移到光阻上;步骤3,将未被光阻覆盖的第一层金属膜蚀刻掉;步骤4,剥离光阻,进而得到第一层金属层图案;步骤5,在所述第一层金属层图案上沉积一层绝缘膜;步骤6,在所述绝缘膜上沉积第二层金属膜;步骤7,在所述第二层金属膜上涂布光阻,并将掩膜版上的图案转移到光阻上;步骤8,将未被光阻覆盖的第二层金属膜蚀刻掉;步骤9,剥离光阻,进而得到第二层金属层图案,其中,将至少包括所述第一层金属层图案、所述第二层金属层图案以及所述绝缘膜的图形作为基板检测用定位图形。
在一个实施例中,所述制造方法还包括在所述第二层金属层图案上沉积一层绝缘膜。
在一个实施例中,掩膜版上的图案包括十字图形。
在一个实施例中,所述制造方法还包括通过湿法蚀刻将未被光阻覆盖的第一层金属膜或第二层金属膜蚀刻掉。
本发明带来了以下有益效果:
本发明通过采用至少两层金属层图案的定位图形,解决了TFT LCD基板加工过程中由于绝缘层覆盖不完全时导致的定位图形缺失的问题,使成品率得到提高。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
图1是定位图形在玻璃基板上的位置示意图;
图2是以图1中单层金属定位图形的AA’线为基准的定位图形的截面图;
图3(a)、(b)、(c)是单层金属定位图形被部分蚀刻的流程示意图;
图4(a)-(g)是根据本发明一个实施例的基板检测用定位图形的制造方法的流程示意图;
图5是根据本发明的一个实施例的基板检测用定位图形的截面图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410274153.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





