[发明专利]用于从晶片分离半导体器件的方法和设备

说明书

背景技术

由薄晶片层制造半导体器件。在制造过程期间，例如在将晶片分离为单个半导体器件期间，晶片可以附接至载体。为了后续处理，可能必须从载体分离半导体器件并且将它们放置在封装或者任何其他类型可运输实体中。

附图说明

包括附图以提供对实施例的进一步理解，并且附图包含在该说明书中并且构成其一部分。附图示出实施例，并且与说明书一起用于解释说明实施例的原理。其他实施例以及许多实施例的有意的优点将易于知晓，因为通过参考以下详细说明将更易于理解它们。附图的元件无需根据相对比例绘制。相同的附图标记表示对应的相同部件。

图1包括图1A至图1I，示出了从晶片分离半导体器件的过程的各个阶段。

图2示出了用于从载体分离半导体器件并且将半导体器件转移至另一个载体的过程的一个实施例的流程图。

图3示出了用于从载体分离半导体器件的设备的一个实施例。

具体实施方式

现在参照附图描述各个方面和各个实施例。在以下说明书中，为了解释说明的目的，列出了数个具体细节以便于提供对实施例的一个或多个方面的完全理解。应该理解的是可以采用其他实施例并且可以不脱离所描述实施例的范围而做出结构或者逻辑上的改变。应该进一步注意的是附图并未也不必须按照比例绘制。

在以下详细说明书中，参考了附图，附图形成了详细说明的一部分并且其中借由示意方式示出了具体实施例。然而，对于本领域技术人员而言可能是明显的是，可以采用较少程度的具体细节而实现实施例的一个或多个方面。在其他情形下，以示意性形式示出了已知的结构和元件，以便利于描述实施例的一个或多个方面。在这点上，参照所描述附图的朝向使用诸如“顶”、“底”、“左”、“右”、“上”、“下”等等的方向性术语。因为可以以许多不同朝向定位实施例的部件，方向性术语用于示意的目的并且绝非是限定性的。应该理解的是，在不脱离本公开的范围的情况下可以采用其他实施例并且可以做出结构或者逻辑上的改变。因此以下详细说明书不应视作是限定性的，并且由所附权利要求限定范围。

以下进一步描述的半导体器件可以是不同类型的，可以由不同技术制造，并且可以包括例如集成电路、光电电路、或者机电电路、以及/或者无源器件、逻辑集成电路、控制电路、微处理器、存储器件等等。

半导体器件可以由任何半导体材料制造，类似例如Si、SiC、SiGe、GaAs，并且此外可以包含并非半导体的无机和/或有机材料，诸如例如绝缘体、塑料或者金属。

以下，将使用图1和图2描述用于从晶片分离半导体器件的方法。

在半导体器件制造期间，可以在半导体晶片内形成半导体器件。半导体器件包括有源侧，其可以包括诸如根据一个实施例的晶体管或者根据一个实施例的集成电路的单个器件。根据一个实施例，可以在半导体器件上沉积保护层。例如在半导体器件的进一步处理期间，保护层可以保护单个半导体器件以免受环境损害。

可以将晶片划片以制造单个半导体器件。根据一个实施例，通过沿着预定的锯切道来锯切晶片而执行划片。根据一个实施例，使用机械锯执行锯切。根据一个实施例，通过刻蚀或者通过刻蚀和锯切的组合而执行划片。根据一个实施例，在划片步骤中半导体器件并未完全分离开。也即，半导体器件仍然连接至在划片步骤中并未锯切或者刻蚀的晶片的连续部分。晶片的连续部分在半导体器件的有源侧的相对侧上。

半导体器件可以经受关于特定准则的测试。根据一个实施例，在晶片放置在载体上之前执行测试。一些半导体器件可能无法满足测试准则，并且可以被标注为不合格品以用于后续处理。通常在晶片上仅少部分半导体器件不满足测试准则。

现在参照图1，示出了从载体分离半导体器件的方法的各个阶段。注意的是，图1A至图1I示出了方法的阶段的剖视图。

图1A示出了包括可能已经如上文描述而制造的半导体器件的晶片。半导体器件1可以设置在晶片2上，晶片2具有可以称作晶片正面侧的第一侧2A、以及可以称作背面侧的第二侧2B。半导体器件的有源侧11可以是在正面侧上的一个。半导体器件可以经受如上文描述的关于特定准则的测试。将并未满足这些准则的半导体器件标注为不合格品12。

此外，晶片可以包括预定的半导体器件13，其具有与半导体器件1的大多数不同的尺寸、并且可以用于不同的目的。例如，在一个实施例中，预定的半导体器件13可以大于半导体器件1的大多数。