[发明专利]用于从晶片分离半导体器件的方法和设备

权利要求书

1.一种用于从晶片分离半导体器件的方法，所述方法包括：

在载体上设置半导体器件，以及

通过施加热和气体喷射从所述载体移除多个所述半导体器件或者所有半导体器件，

其中所述载体是热释放箔片。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述载体和所述半导体器件之间提供可调的粘附力。

3.根据权利要求1所述的方法，其中使用至少一个热施加步骤从所述载体移除所述半导体器件。

4.根据权利要求3所述的方法，其中从载体移除多个所述半导体器件或者所有半导体器件包括：由所述气体喷射施加气体的至少一个脉冲。

5.根据权利要求4所述的方法，其中在使用所述热施加步骤之后施加所述脉冲。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在从所述载体释放之后，所述半导体器件转移至用于分选和对准所述半导体器件的设备。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体器件是塑料封装。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体器件附接至所述载体，使得所述半导体器件的有源侧朝向所述载体。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在从所述载体移除所述半导体器件之前将所述半导体器件单片化。

10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在粘附箔片上设置半导体器件，

在所述粘附箔片和所述半导体器件之间提供可调的粘附力，以及

通过从没有附接半导体器件的一侧加热所述粘附箔片，来调整在所述粘附箔片与所述半导体器件之间的所述粘附力，以及施加至少一个机械或声学脉冲至所述粘附箔片，这引起了至少一些半导体器件从所述粘附箔片脱离，

其中所述粘附箔片是热释放箔片，并且使用热板执行加热。

11.根据权利要求10所述的方法，其中使用至少一个空气流形成所述至少一个脉冲，所述至少一个空气流施加至所述粘附箔片的其中没有附接半导体器件的一侧。

12.一种用于从粘附箔片分离半导体器件的设备，包括：

支撑单元，用于支撑粘附箔片，所述粘附箔片具有与其粘附的半导体器件，

加热系统，提供热量至所述粘附箔片，所述粘附箔片具有与其粘附的半导体器件，以及

脉冲发生器，以施加脉冲至所述粘附箔片，其中所述脉冲发生器包括被设计成施加气体喷射至所述粘附箔片的至少一个气体喷嘴，

其中所述粘附箔片是热释放箔片。

13.根据权利要求12所述的设备，进一步包括：

机械分离单元，配置成在从所述粘附箔片分离所述半导体器件之后从所述半导体器件移除预定的半导体器件。

14.根据权利要求12所述的设备，进一步包括：

容器，在机械地分离了预定的半导体器件之后接收所述半导体器件。

15.根据权利要求12所述的设备，其中所述加热系统和所述脉冲发生器设置在粘连的模块内。

16.根据权利要求13所述的设备，进一步包括：振动单元，用于振动所述机械分离单元。