[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201410273389.7 | 申请日: | 2014-06-18 |
公开(公告)号: | CN104078470B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 高山 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 许静,黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括基板以及位于所述基板上相邻的第一区域和第二区域,所述第一区域和第二区域的段差超过阈值,其特征在于,所述基板上设置有段差补偿图案,在垂直于基板的方向上所述段差补偿图案与所述第一区域以及第二区域均存在重叠,且所述段差补偿图案不超出所述第一区域和所述第二区域。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一区域为数据线所在区域,在平行于基板的方向上所述段差补偿图案沿着所述数据线延伸。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述段差补偿图案为采用栅金属层形成。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板具体包括:
基板;
位于所述基板上由栅金属层形成的栅电极、栅线和所述段差补偿图案;
位于所述栅电极、栅线和段差补偿图案上的栅绝缘层;
位于所述栅绝缘层上的有源层的图案;
位于所述有源层的图案上由源漏金属层形成的源电极、漏电极和所述数据线;
位于所述像素电极、源电极、漏电极和数据线上的钝化层;
位于所述钝化层上的公共电极;
位于所述公共电极上的取向层。
5.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述段差补偿图案为采用有源层形成。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板具体包括:
基板;
位于所述基板上由栅金属层形成的栅电极和栅线;
位于所述栅电极、栅线上的栅绝缘层;
位于所述栅绝缘层上的有源层的图案和由所述有源层形成的所述段差补偿图案;
位于所述有源层的图案和所述段差补偿图案上由源漏金属层形成的源电极、漏电极和所述数据线;
位于所述像素电极、源电极、漏电极和数据线上的钝化层;
位于所述钝化层上的公共电极;
位于所述公共电极上的取向层。
7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~6中任一项所述的阵列基板。
8.一种阵列基板的制作方法,所述阵列基板包括基板以及位于所述基板上相邻的第一区域和第二区域,所述第一区域和第二区域的段差超过阈值,其特征在于,所述制作方法包括:
在所述基板上形成段差补偿图案,其中,在垂直于基板的方向上所述段差补偿图案与所述第一区域以及第二区域均存在重叠,且所述段差补偿图案不超出所述第一区域和所述第二区域。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述第一区域为数据线所在区域,所述在所述基板上形成段差补偿图案包括:
在所述基板上形成所述段差补偿图案,其中,在平行于基板的方向上所述段差补偿图案沿着所述数据线延伸。
10.根据权利要求8或9所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述在所述基板上形成段差补偿图案包括:
通过一次构图工艺采用栅金属层形成栅电极、栅线和所述段差补偿图案。
11.根据权利要求8或9所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述在所述基板上形成段差补偿图案包括:
通过一次构图工艺采用有源层形成有源层的图案和所述段差补偿图案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的