[发明专利]有机电致发光装置及其制造方法

说明书

本申请要求2013年6月21日提交的韩国专利申请No.10-2013-0071865的优先权，该申请的全部内容特此以引用方式并入。

技术领域

本申请涉及有机电致发光装置。更具体地，本申请涉及适于保证对抗光的可靠性的有机电致发光装置及其制造方法。

背景技术

有机电致发光装置被称为有机发光显示(OLED)装置。有机电致发光装置通过利用电子和电空穴的复合形成激子并且使激子从激发态跃迁至基态来发光，其中，电子和电空穴是从电子注入电极和电空穴注入电极注入到有机发光层中的。

如此，有机电致发光装置具有自发光性质。换句话讲，与液晶显示装置不同，有机电致发光装置不需要任何单独的光源。据此，有机电致发光装置可以减小厚度和重量。另外，有机电致发光装置具有低功耗、高亮度、高速响应等优异特征。因此，有机电致发光装置作为移动设备的下一代显示装置引起了公众的关注。此外，制造有机电致发光装置的程序简单。如此，有机电致发光装置的制造成本比现有液晶显示装置的制造成本降低更大。

为了实现各种颜色，正向有机电致发光装置应用使用白光和滤色器的滤色器模式、使用蓝光和变色介质的变色模式、使用红色、绿色和蓝色有机发光材料的三色独立像素模式等。使用白光和滤色器的有机电致装置被称为白色OLED装置。

有机电致发光装置允许有机发光层中产生的光向着第一电极和第二电极中的具有高透射率的电极发射。这种有机电致发光装置被分为顶部发光模式和底部发光模式。

图1A是示出相关技术的有机电致发光装置的截面图。详细地，图1A是示出根据相关技术的底部发光模式的白色OLED装置的截面图。图1B是主要示出图1A中 的区域A的放大示图。

参照图1A，相关技术的有机电致发光装置10包括：第一基板11，其设置有薄膜晶体管阵列14和有机发光层44；第二基板(未示出)，其面对第一基板11。通过使用密封剂组合第一基板11和第二基板(未示出)来完成有机电致发光装置10。

详细地，有机电致发光装置包括：薄膜晶体管阵列14，其形成在第一基板11上；第一电极42，其在薄膜晶体管阵列14上被独立地构图成像素；有机发光层44，其形成在第一电极42上；以及第二电极45，其形成在有机发光层44的整个表面上。薄膜晶体管阵列14由包括驱动薄膜晶体管T的多个薄膜晶体管构成并且形成在第一基板11上。薄膜晶体管阵列中包括的驱动薄膜晶体管T可变成边缘阻止件结构和共面结构中的任一个。

驱动薄膜晶体管T可以形成为如图1B中所示的共面结构。共面结构的驱动薄膜晶体管T包括：缓冲层12，其形成在基板11的整个表面上；半导体层20，其形成在缓冲层12上；栅绝缘膜21和栅极，其顺序地形成在半导体层20的中心区域上；第一绝缘层23，其形成在设置有栅绝缘膜21和栅极22的基板11的整个表面上；源极24a和漏极24b，其形成在第一绝缘层23上；等等。

半导体层20被限定成有源区20'和形成在有源区20'两侧的源区20a/漏区20b。源极24a和漏极24b分别连接到半导体层20的源区20a和漏区20b。

在设置有源极24a和漏极24b的基板11的整个表面上形成第二绝缘层30。在第二绝缘层30上顺序地形成第一电极42、有机发光层44等。

参照图1A和图1B，如果有机电致发光装置是白色OLED装置，则有机发光层44发射白光。在这种情况下，在第二绝缘层30和第一电极42之间的红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区中形成红色滤色器31、绿色滤色器32和蓝色滤色器33。然而，在白色像素区中没有形成任何滤色器。

如果有机电致发光装置10被形成为底部发光型，则有机发光层44发射的光透过第一基板11被照射到外部。在这种情况下，第二电极45还执行反射板的功能。底部发光模式促使包括驱动薄膜晶体管T的多个薄膜晶体管容易暴露于从有机发光层44发射的光。更具体地，包括形成在基板11的整个表面上的有机发光层的白色OLED装置促使薄膜晶体管的暴露增加。

同时，IGZO(铟镓锌氧化物)近来作为薄膜晶体管的半导体层20的材料引起了 公众关注。这是由于IGZO具有透明性和优异的导电性并且可以使用低于300℃的低温工序。然而，IGZO使得原子能够以深陷阱状态(deep state)存在于电子带附近。据此，IGZO必须实质上对光是敏感的。

此外，具有高迁移率的IGZO因为具有窄带隙，所以对光更敏感。实际上，IGZO的属性容易因包括在绿色和蓝色波带中的光和大约500cd/m²的微光而劣化。