[发明专利]有机电致发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种有机电致发光装置，所述有机电致发光装置包括：

基板，所述基板具有多个像素区域；

在所述多个像素区域的每一个中的位于所述基板上的显示元件，所述显示元件包括：

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有源极和漏极；

绝缘层，所述绝缘层覆盖所述薄膜晶体管；

第一电极，其通过所述绝缘层中的接触孔连接到所述薄膜晶体管；

有机发光层，其形成在所述第一电极上；

第二电极，其形成在所述有机发光层上；

第一光吸收层，其直接形成在所述绝缘层的顶部上并且在所述薄膜晶体管和所述有机发光层之间，所述第一光吸收层被构造成为所述薄膜晶体管遮蔽所述有机发光层发射的光，以及

钝化层，所述钝化层直接形成在所述第一光吸收层和所述第一电极的至少一部分的顶部上并且直接形成在所述有机发光层的下方。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其中所述薄膜晶体管包括由氧化物形成的半导体层。

3.根据权利要求2所述的有机电致发光装置，其中所述氧化物是用下面的化学式1表示的化合物：

[化学式1]

A_wB_xC_yO_z

其中，“A”、“B”和“C”分别是铟In、镓Ga、锌Zn、铝Al和锡Sn中的一个，“w”、“x”、“y”和“z”是不小于1且不大于10的自然数。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，所述有机电致发光装置还包括第二光吸收层，所述第二光吸收层形成在所述薄膜晶体管下方并且被构造成为所述薄膜晶体管遮蔽外部光。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，所述有机电致发光装置还包括第二光吸收层，所述第二光吸收层形成在第一光吸收层上并且在所述有机发光层下方。

6.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其中所述第一光吸收层由有机材料或非导电无机材料形成，所述非导电无机材料具有最多为2 eV的带隙能量。

7.根据权利要求6所述的有机电致发光装置，其中所述非导电无机材料是锗Ge、铜氧化物CuO和砷化镓GaAs中的一种。

8.根据权利要求6所述的有机电致发光装置，其中从由红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器组成的组中选择的至少两种滤色器由所述有机材料形成。

9.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其中所述第一光吸收层被形成为覆盖除了与像素区相对应的开口之外的所述有机电致发光装置的整个区域。

10.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其中所述薄膜晶体管是共面结构、倒置共面结构和蚀刻阻止件结构中的一种。

11.一种制造有机电致发光装置的方法，所述方法包括以下步骤：

在基板上形成具有源极和漏极的薄膜晶体管；

在设置有所述薄膜晶体管的所述基板上形成覆盖所述薄膜晶体管的绝缘层；

在所述薄膜晶体管上方并且在所述绝缘层的顶部直接形成第一光吸收层；

在所述绝缘层上形成第一电极；

形成钝化层；

在所述钝化层和所述第一电极上方形成有机发光层；以及

在所述有机发光层上形成第二电极，

其中，所述第一光吸收层被构造成为所述薄膜晶体管遮蔽所述有机发光层发射的光，以及

所述钝化层直接形成在所述第一光吸收层和所述第一电极的至少一部分的顶部上并且直接形成在所述有机发光层的下方。

12.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括：在所述基板和所述薄膜晶体管之间顺序地形成第二光吸收层和缓冲层。