[发明专利]壳体及其制造方法、以及电子设备在审
| 申请号: | 201410268417.6 | 申请日: | 2008-09-23 |
| 公开(公告)号: | CN104023469A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
| 发明(设计)人: | 本田朋子;高桥不二男 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
| 主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02;H01Q1/24;H01Q1/40;H04M1/02 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;於毓桢 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 壳体 及其 制造 方法 以及 电子设备 | ||
1.一种电子设备,其特征在于,具有:设有凹部的成型体;以埋入所述凹部内的方式设置的导电层;和保护膜,该保护膜被设置成至少覆盖所述成型体表面上设有所述凹部的表面中的所述凹部的非形成区域和所述导电层表面,
所述导电层具有导电性糊剂和设置在所述导电性糊剂上的镀覆层。
2.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述导电层具有与所述凹部深度大致相同的厚度。
3.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述导电层在所述凹部的底面上以接触的方式形成。
4.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述导电层为天线。
5.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述保护膜在所述非形成区域与所述导电层的所述表面之间大致平坦地延伸。
6.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述成型体具有:第一成型体、和形成在所述第一成型体上且形成有贯通的开口部的第二成型体。
7.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,具有:与所述成型体以形成内部空间的方式组合的壳体、和设置于所述内部空间的电路,
所述导电层与所述电路电连接。
8.根据权利要求7所述的电子设备,其特征在于,所述电路包含供电线或电容耦合元件,
通过所述供电线或所述电容耦合元件给所述导电层供电。
9.一种电子设备的制造方法,其特征在于,包括:
在成型体上形成凹部的工序;
以埋入所述凹部内的方式形成包含导电性糊剂和设置在所述导电性糊剂上的镀覆层的导电层的工序;以及
以至少覆盖所述成型体表面上设有所述凹部的表面中的所述凹部的非形成区域和所述导电层表面的方式设置保护膜的工序。
10.根据权利要求9所述的电子设备的制造方法,其特征在于,所述导电层设置成与所述凹部深度大致相同的厚度。
11.根据权利要求9所述的电子设备的制造方法,其特征在于,所述导电层在所述凹部的底面上以接触的方式形成。
12.根据权利要求9所述的电子设备的制造方法,其特征在于,所述导电层为天线。
13.根据权利要求9所述的电子设备的制造方法,其特征在于,所述保护膜在所述非形成区域与所述导电层的所述表面之间大致平坦地延伸。
14.根据权利要求9所述的电子设备的制造方法,其特征在于,所述成型体具有:第一成型体、和形成在所述第一成型体上且形成有贯通的开口部的第二成型体。
15.根据权利要求9所述的电子设备的制造方法,其特征在于,进一步具有:在内部空间配置电路,组合所述成型体与壳体的工序,
所述导电层与所述电路电连接。
16.根据权利要求15所述的电子设备的制造方法,其特征在于,所述电路包含供电线或电容耦合元件,
通过所述供电线或所述电容耦合元件给所述导电层供电。
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