[发明专利]发光装置以及电子设备有效
申请号: | 201410268410.4 | 申请日: | 2014-06-16 |
公开(公告)号: | CN104241545B | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
发明(设计)人: | 野泽陵一 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 以及 电子设备 | ||
1.一种发光装置,其特征在于,具备:
形成在基体上的第一发光元件以及第二发光元件;和
覆盖所述第一发光元件以及所述第二发光元件的密封层,
所述密封层包括第一密封层、第三密封层以及位于所述第一密封层与所述第三密封层之间的第二密封层,
所述第二密封层的膜厚为1~5μm,
所述第一发光元件和所述第二发光元件的间隔在所述第二密封层的膜厚以下,
所述发光元件的面积为40μm2以下。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
具备绝缘层,所述绝缘层的面上形成所述第一发光元件以及所述第二发光元件,
所述第一发光元件以及第二发光元件分别包括相互对置的第一电极以及第二电极、和遍及所述第一发光元件和所述第二发光元件连续地形成且位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光功能层,
在所述绝缘层中的所述第一发光元件和所述第二发光元件之间的区域形成开口部,所述发光功能层进入至该开口部。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于,
所述第二密封层的上表面比该第二密封层中的所述发光元件侧的下表面平坦。
4.一种发光装置,其特征在于,具备:
形成在基体上的第一发光元件以及第二发光元件;和
覆盖所述第一发光元件以及所述第二发光元件的密封层,
所述密封层包括第一密封层、第三密封层以及位于所述第一密封层与所述第三密封层之间的第二密封层,
所述第二密封层的膜厚为1~5μm,
所述第一发光元件和所述第二发光元件的节距在所述第二密封层的膜厚以下,
所述发光元件的面积为40μm2以下。
5.根据权利要求4所述的发光装置,其特征在于,
具备绝缘层,所述绝缘层的面上形成所述第一发光元件以及所述第二发光元件,
所述第一发光元件以及第二发光元件分别包括相互对置的第一电极以及第二电极、和遍及所述第一发光元件和所述第二发光元件连续地形成且位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光功能层,
在所述绝缘层中的所述第一发光元件和所述第二发光元件之间的区域形成开口部,所述发光功能层进入至该开口部。
6.根据权利要求4或5所述的发光装置,其特征在于,
所述第二密封层的上表面比该第二密封层中的所述发光元件侧的下表面平坦。
7.一种发光装置,其特征在于,具备:
形成在基体上的发光元件;和
覆盖所述发光元件的密封层,
所述密封层包括第一密封层、第三密封层以及位于所述第一密封层与所述第三密封层之间的第二密封层,
所述第二密封层的膜厚为1~5μm,
所述发光元件的宽度在所述第二密封层的膜厚以下,
所述发光元件的面积为40μm2以下。
8.根据权利要求7所述的发光装置,其特征在于,
在所述基体上形成相互对置的第一电极以及第二电极、所述第一电极和所述第二电极之间的发光功能层、以及形成在所述第一电极和所述第二电极之间且具有开口部的像素定义层,
将所述开口部的内侧且在所述第一电极和所述第二电极之间夹有所述发光功能层的部分作为所述发光元件而发挥功能,
所述发光元件的宽度为所述开口部的宽度。
9.根据权利要求7或8所述的发光装置,其特征在于,
所述第二密封层的上表面比该第二密封层中的所述发光元件侧的下表面平坦。
10.一种电子设备,其特征在于,
具备权利要求1~9中任一项所述的发光装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择