[发明专利]用于高射频功率导体蚀刻系统的锤头TCP线圈支架

权利要求书

1.一种包括衬底支架的等离子体处理系统，其包括：

室，其用于当衬底设置在所述室的所述衬底支架上时对所述衬底进行等离子体处理，所述室具有定向在所述衬底支架上方的陶瓷窗口；

由内线圈和外线圈限定的变压器耦合等离子体(TCP)线圈，所述变压器耦合等离子体线圈设置在所述陶瓷窗口上方；

设置在所述变压器耦合等离子体线圈上方的陶瓷支架，所述陶瓷支架包括从中心区延伸到外周的多根辐条，所述辐条中的每根包括在背离辐条的轴的方向上使所述陶瓷支架径向扩展的锤头形状；以及

将变压器耦合等离子体线圈连接到所述陶瓷支架的多个螺钉，其中连接到所述外线圈的至少成对的螺钉在径向上彼此偏置，并且所述成对的螺钉之一设置在所述锤头形状中；

其中所述陶瓷支架使用所述多个螺钉将所述变压器耦合等离子体线圈支撑在所述室的所述陶瓷窗口上方。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述陶瓷支架包括用于接收所述多个螺钉的多个螺钉孔，所述多个螺钉孔无螺纹；以及

其中，所述多个螺钉中的每个包括无螺纹部分和螺纹部分，所述无螺纹部分被限定为坐落在所述无螺纹的螺钉孔中，并且所述螺纹部分被限定为旋入所述变压器耦合等离子体线圈的螺纹中。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述多根辐条沿着支架轴和终端轴对齐。

4.根据权利要求3所述的等离子体处理系统，其进一步包括：

第一终端支架，在沿着所述终端轴对齐的辐条的第一端连接到所述陶瓷支架；以及

第二终端支架，在沿着所述终端轴对齐的所述辐条的第二端连接到所述陶瓷支架。

5.根据权利要求4所述的等离子体处理系统，其中，所述第一终端支架和所述第二终端支架分别连接到第一终端主体和第二终端主体，所述第一终端支架和所述第二终端支架保持所述第一终端主体和所述第二终端主体从所述陶瓷支架升高。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述陶瓷支架包括在沿着所述终端轴对齐的辐条的相对的外端在所述变压器耦合等离子体线圈的终端下方的细长通道。

7.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述径向偏置是从所述陶瓷支架的中心区延伸并且延伸到被限定在所述陶瓷支架的所述外周的螺钉孔的角度。

8.根据权利要求3所述的等离子体处理系统，其进一步包括：

沿着所述终端轴限定的多个通道，所述通道的大小适合使终端能连接到所述变压器耦合等离子体线圈以通过所述陶瓷支架并且与所述陶瓷支架保持间距来维持不接触。

9.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，在所述辐条中的一根上设有三个螺钉，其中，第一螺钉设置成穿过所述锤头形状的第一侧，第二螺钉设置成穿过辐条区，并且第三螺钉设置成穿过所述锤头形状的第二侧，其中，所述第一侧、所述第二侧和所述辐条区限定所述锤头形状。

10.根据权利要求9所述的等离子体处理系统，其中，所述第一螺钉连接到所述外线圈的内部，所述第二螺钉连接到所述外线圈的中间部，并且所述第三螺钉连接到所述外线圈的外部。

11.一种在等离子体处理系统中使用的装置，其包括：

陶瓷支架，所述陶瓷支架具有从中心区延伸到外周的多根辐条，所述辐条中的每根包括在背离辐条的轴的方向上使所述陶瓷支架径向扩展的锤头形状；以及

设置成穿过所述陶瓷支架的多个螺钉孔，所述多个螺钉孔被限定为使螺钉能连接到具有内线圈和外线圈的变压器耦合等离子体线圈，其中，所述外线圈设置在所述辐条中的每根的所述锤头形状下方，其中，径向间隙被限定在所述锤头形状中的每个之间，所述径向间隙限定绕着所述外线圈的不连续的环。

12.根据权利要求11所述的装置，其中，至少成对的螺钉孔彼此径向偏置，并且所述成对的螺钉孔之一设置在所述锤头形状中。

13.根据权利要求11所述的装置，其进一步包括：

多个螺钉，所述多个螺钉被限定为配合穿过所述螺钉孔，所述螺钉包括无螺纹部分和螺纹部分，所述无螺纹部分被配置成坐落在所述螺钉孔中，并且所述螺纹部分被配置成旋入所述变压器耦合等离子体线圈中。