[发明专利]研磨方法

说明书

本发明提供一种研磨方法，包括在待研磨晶圆上形成材料层；对待研磨晶圆依次进行表面处理，对多个待研磨晶圆执行各自对应的化学机械研磨步骤，在多个待研磨晶圆各自对应的化学机械研磨步骤均完成后，统一将多个待研磨晶圆切换至各自对应的下一步骤；使最后一化学机械研磨步骤的时间不小于其他化学机械研磨步骤的时间；对经过表面处理的若干晶圆依次进行冲洗。本发明的有益效果在于，防止一个批次的晶圆中的最后一片晶圆因最后一化学机械研磨步骤过快，而相对过早的离开研磨设备并进入冲洗步骤的情况，从而尽量避免了的最后一片晶圆因过早进入冲洗步骤而被迫在冲洗步骤中停留更长时间，而带来的受到更大程度的腐蚀的问题。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体涉及一种研磨方法。

背景技术

为了跟上超大规模集成电路(Ultra Large Scale Integration,ULSI)的飞速的发展，半导体器件的制作工艺变得越来越复杂和精细。

例如：为了进一步减小晶体管的特征尺寸，同时提升晶体管的性能，当前的晶体管的制作工艺逐渐由先形成栅极然后进行离子注入以形成源区和漏区的前栅工艺，转变为后栅工艺(gate last)。这种后栅工艺先形成伪栅(dummy gate)，然后形成源区和漏区，再覆盖层间介质层，并去除伪栅以在层间介质层中形成开口，再在开口中填充材料形成材料层。在形成材料层之后，需要通过平坦化工艺去除多余的材料，仅保留位于所述开口中的材料以作为晶体管的栅极。

同时，目前被广泛使用的平坦化工艺为化学机械研磨(Chemical MechanicalPolishing,CMP)工艺，这种工艺是达成全局平坦化的常用方法之一。

但是，在现有技术后栅工艺中，采用化学机械研磨去除多余材料形成栅极时平坦化效果不够理想，容易对材料层造成腐蚀，而材料层的腐蚀影响栅极的良率，甚至影响形成的晶体管的性能。

因此，如何减小整个研磨过程对材料层的腐蚀，以提高晶体管的性能，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题之一。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种研磨方法，以减小研磨过程对材料层的腐蚀。

为解决上述问题，本发明提供一种研磨方法，包括：

提供若干待研磨晶圆；

在所述待研磨晶圆上形成材料层；

对形成有材料层的若干待研磨晶圆依次进行表面处理，包括：对多个待研磨晶圆执行各自对应的化学机械研磨步骤，且在多个待研磨晶圆各自对应的化学机械研磨步骤均完成后，统一将所述多个待研磨晶圆切换至各自对应的下一步骤；

使所述的表面处理中的最后一化学机械研磨步骤的时间不小于其他化学机械研磨步骤的时间；

对经过所述表面处理的若干晶圆依次进行冲洗。

可选的，在对经过所述表面处理的若干晶圆依次进行冲洗之后，所述研磨方法还包括：

对经过冲洗后的若干晶圆依次进行清洗；

对形成有材料层的若干待研磨晶圆依次进行表面处理的步骤包括：所述表面处理步骤中最后一化学机械研磨步骤的时间不小于所述清洗步骤的时间。

可选的，所述的表面处理中的最后一化学机械研磨步骤包括：去除部分材料层的实际化学机械研磨步骤，以及不去除材料层的伪化学机械研磨步骤。

可选的，对形成有材料层的若干待研磨晶圆依次进行表面处理的步骤包括：

提供研磨设备，所述研磨设备中设置有分别对应于各化学机械研磨步骤的多个研磨单元；

所述多个研磨单元对分别处于不同化学机械研磨步骤的待研磨晶圆同时进行研磨；