[发明专利]研磨方法

权利要求书

1.一种研磨方法，其特征在于，包括：

提供若干待研磨晶圆；

在所述待研磨晶圆上形成材料层；

对形成有材料层的若干待研磨晶圆依次进行表面处理，包括：对多个待研磨晶圆执行各自对应的化学机械研磨步骤，在多个待研磨晶圆各自对应的化学机械研磨步骤均完成后，统一将所述多个待研磨晶圆切换至各自对应的下一步骤；使所述表面处理中的最后一化学机械研磨步骤的时间不小于其他化学机械研磨步骤的时间；

对经过所述表面处理的若干晶圆依次进行冲洗；

其中，在对经过所述表面处理的若干晶圆依次进行冲洗之后，所述研磨方法还包括：

对经过冲洗的若干晶圆依次进行清洗；

对形成有材料层的若干待研磨晶圆依次进行表面处理的步骤包括：使所述表面处理步骤中最后一化学机械研磨步骤的时间不小于所述清洗步骤的时间；

其中，形成材料层的步骤包括：形成铝材料的材料层；

对经过表面处理的若干晶圆依次进行冲洗的步骤包括：采用过氧化氢溶液对经过表面处理的若干晶圆进行冲洗。

2.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述的表面处理中的最后一化学机械研磨步骤包括：

去除部分材料层的实际化学机械研磨步骤，以及不去除材料层的伪化学机械研磨步骤。

3.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，对形成有材料层的若干待研磨晶圆依次进行表面处理的步骤包括：

提供研磨设备，所述研磨设备中设置有分别对应于各化学机械研磨步骤的多个研磨单元；所述多个研磨单元对分别处于不同化学机械研磨步骤的待研磨晶圆同时进行研磨；

将若干待研磨晶圆依次放置于所述研磨设备中，以进行所述表面处理。

4.如权利要求3所述的研磨方法，其特征在于，依次进行表面处理的步骤中首先进行的化学机械研磨步骤为第一化学机械研磨步骤；

对形成有材料层的若干待研磨晶圆依次进行表面处理的步骤包括：

将位于研磨设备之外的待研磨晶圆移动至研磨设备中对应于第一化学机械研磨步骤的研磨单元，同时，将位于对应于最后一化学机械研磨步骤的研磨单元中的待研磨晶圆移出研磨设备，以进行所述冲洗的步骤；

或者是，将位于研磨设备之外的待研磨晶圆移动至研磨设备中对应于第一化学机械研磨步骤的研磨单元；

或者是，将位于对应于最后一化学机械研磨步骤的研磨单元中的待研磨晶圆移出研磨设备，以进行所述冲洗。

5.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，对形成有材料层的若干待研磨晶圆依次进行表面处理的步骤包括：

对晶圆依次进行第一、第二以及第三化学机械研磨步骤，其中，所述第三化学机械研磨步骤的研磨时间不小于第一化学机械研磨步骤或者第二化学机械研磨步骤的研磨时间。

6.如权利要求5所述的研磨方法，其特征在于，对形成有材料层的若干待研磨晶圆依次进行表面处理的步骤包括：使第一、第二以及第三化学机械研磨步骤的研磨时间均相同。

7.如权利要求6所述的研磨方法，其特征在于，对形成有材料层的若干待研磨晶圆依次进行表面处理的步骤包括：使第一、第二以及第三化学机械研磨步骤的研磨时间均为90～110秒。

8.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，对经过表面处理的若干晶圆依次进行冲洗的步骤包括：使所述过氧化氢溶液中过氧化氢浓度在1％至29％的范围内。

9.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，对经过表面处理的若干晶圆依次进行冲洗的步骤包括：采用CP72B溶液或者CP76溶液对所述经过表面处理的晶圆进行冲洗。

10.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，对经过冲洗后的若干晶圆依次进行清洗的步骤包括：采用CP72B溶液或者CP76溶液对所述经过冲洗的晶圆进行清洗。

11.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，在提供待研磨晶圆的步骤之后，形成材料层的步骤之前，所述研磨方法还包括：

在所述待研磨晶圆表面形成层间介质层，所述层间介质层中形成有若干开口；

形成材料层的步骤包括：在所述开口中填充所述材料层，所述材料层还覆盖所述层间介质层表面；

对形成有材料层的若干待研磨晶圆依次进行表面处理的步骤包括：研磨所述材料层以去除层间介质层表面的材料层，保留位于开口中的材料层，以形成栅极。