[发明专利]铜互连结构的形成方法有效
| 申请号： | 201410260910.3 | 申请日： | 2014-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN105448809B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;张城龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴圳添;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互连 结构 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种铜互连结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成介质层；
在所述介质层中形成孔槽结构；
在所述孔槽结构的底部和侧壁形成铜锰层；
在所述铜锰层上形成填充满所述孔槽结构的铜层；
在所述铜锰层上形成所述铜层包括：采用原子层沉积工艺在所述铜锰层上形成氮化铜层；采用第二温度分解处理所述氮化铜层，直至形成所述铜层；
重复多次形成所述氮化铜层和采用所述第二温度分解处理所述氮化铜层的步骤，直至所述孔槽被直接填充满。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述铜锰层包括：
采用溅镀方法形成锰掺杂的氮化铜层；
采用第一温度分解处理所述锰掺杂的氮化铜层，直至形成所述铜锰层。
3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述第一温度的范围为200℃～400℃。
4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述铜锰层的厚度范围为
5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺在所述孔槽结构内形成所述铜锰层。
6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二温度的范围为200℃～400℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
