[发明专利]半导体元件、半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，

具有：

第1导电型的衬底；

第2导电型的第1杂质区域，其形成在所述衬底的正面侧；

第2导电型的第2杂质区域，其形成在所述衬底的正面侧，与所述第1杂质区域接触，且在俯视观察时将所述第1杂质区域包围，并且在剖面观察时比所述第1杂质区域深；以及

第2导电型的耐圧保持构造，其以俯视观察时将所述第2杂质区域包围的方式形成，

所述第1杂质区域和所述第2杂质区域的边界处的杂质浓度小于或等于所述第2杂质区域的杂质浓度的最大值，电流在所述衬底的正面和背面之间流动。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

具有电极，该电极以不与所述衬底中的未形成有所述第1杂质区域、所述第2杂质区域的部分接触的方式形成在所述第1杂质区域上。

3.根据权利要求1或2所述的半导体元件，其特征在于，

所述第2杂质区域的杂质浓度比所述第1杂质区域高。

4.根据权利要求1或2所述的半导体元件，其特征在于，

俯视观察时的所述第1杂质区域的中央部的杂质浓度比俯视观察时的所述第1杂质区域的外周部高。

5.根据权利要求1或2所述的半导体元件，其特征在于，

具有：

电极，其形成在所述第1杂质区域的上方；以及

外部连接配线，其固定在所述电极的一部分上，

所述第1杂质区域中的所述外部连接配线的正下方部分的杂质浓度比所述第1杂质区域的除了所述正下方部分以外的部分高。

6.根据权利要求1或2所述的半导体元件，其特征在于，

具有：

正极电极，其形成在所述第1杂质区域的上方；以及

负极电极，其形成在所述衬底的背面侧，

形成将所述第1杂质区域作为正极区域的二极管。

7.根据权利要求1或2所述的半导体元件，其特征在于，

具有：

第2导电型的第3杂质区域，其形成在所述衬底的背面侧；以及

沟槽栅极，其形成在所述衬底的正面侧，

形成将所述第1杂质区域作为沟道区域、将所述第3杂质区域作为集电极区域的IGBT。

8.根据权利要求1或2所述的半导体元件，其特征在于，

所述耐圧保持构造为保护环、RESURF构造、或者VLD构造。

9.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，

具有下述工序：

在第1导电型的衬底的正面形成掩膜的工序，所述掩膜具有第1部分以及第2部分，该第1部分具有第1开口，该第2部分形成为通过环状的第2开口将所述第1部分包围；

利用所述掩膜将第2导电型的杂质注入至所述衬底的工序；以及

热扩散工序，在该工序中，使经过所述第1开口注入的杂质热扩散而形成第1杂质区域，并且使经过所述第2开口注入的杂质热扩散而形成第2杂质区域，该第2杂质区形成为与所述第1杂质区域接触，且在俯视观察时将所述第1杂质区域包围，并且在剖面观察时比所述第1杂质区域深，

所述第1杂质区域和所述第2杂质区域的边界处的杂质浓度小于或等于所述第2杂质区域的杂质浓度的最大值。

10.根据权利要求9所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述第2部分以通过第3开口将所述第2开口包围的方式形成，

在所述热扩散工序中，使经过所述第3开口注入的杂质进行热扩散而形成保护环。

11.根据权利要求9或10所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述第1部分具有所述第1开口或者多个多边形的剩余图案，其中，所述第1开口形成为条纹、多边形、或者圆形。

12.根据权利要求9或10所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述第1杂质区域在俯视观察时形成在所述衬底的中央部。

13.根据权利要求9或10所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述第1部分形成为，俯视观察时的中央部的开口率比外周部的开口率大。