[发明专利]暴露[200]晶面的单晶四方体型OMS-2纳米材料的制备方法有效
| 申请号： | 201410260220.8 | 申请日： | 2014-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN104016413A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 吴银素;郭琳琳;刘肖肖 | 申请（专利权）人： | 河北师范大学 |
| 主分类号： | C01G45/02 | 分类号： | C01G45/02;B01J29/03;B01D53/86;B01D53/72 |
| 代理公司： | 石家庄新世纪专利商标事务所有限公司 13100 | 代理人： | 董金国 |
| 地址： | 050024 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 暴露 200 四方 体型 oms 纳米 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种暴露[200]晶面的单晶四方体型OMS-2纳米材料的制备方法，其特征在于：在室温条件下，向0.02mmol高锰酸钾溶液中滴加0.02mmol醛类物质，反应物摩尔比为1:1，滴加完毕后继续搅拌12-24h，抽滤、水洗、无水乙醇洗，所得产品于马弗炉中以1℃/min的升温速率升至400℃-600℃，焙烧4-6h，得到暴露[200]晶面的单晶四方体型OMS-2纳米材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于醛类物质是丙醛、正丁醛、异丁醛和苯甲醛其中一种。
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